Iniharap ng Pranses ang pitong antas na transistor ng GAA bukas
Matagal nang walang lihim na sa teknolohiyang proseso ng 3nm, ang mga transistor ay lilipat mula sa vertical na "fin" na mga FinFET channel patungo sa mga pahalang na nanopage na channel na ganap na napapalibutan ng mga gate o GAA (gate-all-around). Ngayon, ipinakita ng French institute CEA-Leti kung paano magagamit ang mga proseso ng pagmamanupaktura ng FinFET transistor upang makagawa ng mga multi-level na transistor ng GAA. At ang pagpapanatili ng pagpapatuloy ng mga teknikal na proseso ay isang maaasahang batayan para sa mabilis na pagbabago. Para sa VLSI Technology & Circuits Symposium […]