Fransızlar yarının yedi seviyeli GAA transistörünü sundu
3nm işlem teknolojisiyle, transistörlerin dikey "fin" FinFET kanallarından, tamamen kapılarla veya GAA (her yönden kapı) ile çevrelenmiş yatay nano sayfa kanallarına geçeceği uzun zamandır bir sır değil. Bugün, Fransız enstitü CEA-Leti, FinFET transistör üretim süreçlerinin çok seviyeli GAA transistörleri üretmek için nasıl kullanılabileceğini gösterdi. Teknik süreçlerin sürekliliğini sağlamak ise hızlı dönüşüm için güvenilir bir temeldir. VLSI Teknolojisi ve Devreler Sempozyumu için […]