Bu sabah Güney Kore'nin Seul kentinde Intel, bellek ve katı hal sürücü pazarındaki gelecek planlarına adanmış "Bellek ve Depolama Günü 2019" etkinliğini düzenledi. Burada şirket temsilcileri gelecekteki Optane modelleri, beş bitlik PLC NAND'ın (Penta Seviye Hücresi) geliştirilmesindeki ilerlemeler ve önümüzdeki yıllarda tanıtmayı planladığı diğer umut verici teknolojiler hakkında konuştu. Intel ayrıca uzun vadede masaüstü bilgisayarlara kalıcı RAM sunma arzusundan ve bu segment için tanıdık SSD'lerin yeni modellerinden bahsetti.
Intel'in devam eden gelişmelerle ilgili sunumunun en beklenmedik kısmı, daha da yoğun bir flash bellek türü olan PLC NAND hakkındaki hikayeydi. Şirket, son iki yılda dünyada üretilen toplam veri miktarının iki katına çıktığını, dolayısıyla dört bitlik QLC NAND tabanlı sürücülerin artık bu soruna iyi bir çözüm gibi görünmediğini, sektörün daha yüksek performansa sahip bazı seçeneklere ihtiyaç duyduğunu vurguluyor. depolama yoğunluğu. Çıktı, her hücresi aynı anda beş bitlik veri depolayan Beş Seviyeli Hücre (PLC) flash belleği olmalıdır. Böylece, flash bellek türlerinin hiyerarşisi yakında SLC-MLC-TLC-QLC-PLC'ye benzeyecek. Yeni PLC NAND, SLC'ye kıyasla beş kat daha fazla veri depolayabilecek, ancak elbette daha düşük performans ve güvenilirlikle, çünkü kontrolörün beş bit yazmak ve okumak için hücrenin 32 farklı şarj durumu arasında ayrım yapması gerekecek. .
Intel'in daha da yoğun flash bellek yapma arayışında yalnız olmadığını belirtmekte fayda var. Toshiba ayrıca Ağustos ayında düzenlenen Flash Bellek Zirvesi'nde PLC NAND oluşturma planlarından da bahsetti. Ancak Intel'in teknolojisi önemli ölçüde farklıdır: Şirket kayan kapılı bellek hücreleri kullanırken, Toshiba'nın tasarımları şarj tuzağı tabanlı hücreler üzerine inşa edilmiştir. Bilgi depolama yoğunluğunun artmasıyla birlikte, hücrelerdeki karşılıklı etkiyi ve yük akışını en aza indirdiği ve verilerin daha az hatayla okunmasını mümkün kıldığı için kayan kapı en iyi çözüm gibi görünüyor. Başka bir deyişle, Intel'in tasarımı yoğunluğu artırmaya daha uygundur ve bu, farklı teknolojiler kullanılarak yapılan ticari olarak satılan QLC NAND'ın test sonuçlarıyla da doğrulanmaktadır. Bu tür testler, kayan kapıya dayalı QLC bellek hücrelerindeki veri bozulmasının, şarj tuzağına sahip QLC NAND hücrelerine göre iki ila üç kat daha yavaş gerçekleştiğini göstermektedir.
Bu arka plana bakıldığında, Micron'un diğer şeylerin yanı sıra şarj tuzak hücrelerini kullanmaya geçme arzusu nedeniyle flash bellek geliştirme sürecini Intel ile paylaşmaya karar verdiği bilgisi oldukça ilginç görünüyor. Intel orijinal teknolojiye bağlı kalmaya devam ediyor ve bunu tüm yeni çözümlerde sistematik olarak uyguluyor.
Halen geliştirilmekte olan PLC NAND'a ek olarak Intel, daha uygun fiyatlı diğer teknolojileri kullanarak flash bellekteki bilgilerin depolama yoğunluğunu artırmayı amaçlıyor. Şirket özellikle 96 katmanlı QLC 3D NAND'ın seri üretimine yakında geçeceğini doğruladı: yeni bir tüketici sürücüsünde kullanılacak .
Bunu 144 katmanlı QLC 3D NAND üretiminde ustalaşma takip edecek; gelecek yıl üretime geçilecek. Intel'in şu ana kadar monolitik kristallerin üçlü lehimlenmesine yönelik herhangi bir niyetini reddetmesi ilginçtir; bu nedenle 96 katmanlı tasarım, iki adet 48 katmanlı kristalin dikey montajını içerirken, 144 katmanlı teknoloji, görünüşe göre 72 katmanlı olacak. "yarı mamul ürünler".
QLC 3D NAND kristallerindeki katman sayısının artmasıyla birlikte Intel geliştiricileri henüz kristallerin kendi kapasitelerini artırmayı düşünmüyor. 96 ve 144 katmanlı teknolojilere dayanarak, birinci nesil 64 katmanlı QLC 3D NAND ile aynı terabit kristaller üretilecek. Bunun nedeni, kabul edilebilir bir performans düzeyine sahip SSD'leri temel alma arzusudur. 144 katmanlı belleği kullanan ilk SSD'ler Arbordale+ sunucu sürücüleri olacak.
Kaynak: 3dnews.ru