Bugün Samsung Elektronik yarı iletkenlerin üretimi için teknik süreçlerin geliştirilmesine yönelik planlar hakkında. Şirket, patentli MBCFET transistörlerine dayanan deneysel 3 nm çiplerin dijital projelerinin oluşturulmasını mevcut ana başarı olarak görüyor. Bunlar dikey FET kapılarında (Çok Köprülü Kanal FET) birden fazla yatay nanosayfa kanalına sahip transistörlerdir.
IBM ile yapılan ittifakın bir parçası olarak Samsung, kanalları tamamen kapılarla çevrili (GAA veya Gate-All-Around) transistörlerin üretimi için biraz farklı bir teknoloji geliştirdi. Kanalların nanotel şeklinde ince yapılması gerekiyordu. Daha sonra Samsung bu şemadan uzaklaştı ve nanosayfalar şeklinde kanallara sahip bir transistör yapısının patentini aldı. Bu yapı, hem sayfa sayısını (kanalları) değiştirerek hem de sayfaların genişliğini ayarlayarak transistörlerin özelliklerini kontrol etmenizi sağlar. Klasik FET teknolojisi için böyle bir manevra imkansızdır. Bir FinFET transistörünün gücünü artırmak için alt tabakadaki FET kanatçıklarının sayısını çarpmak gerekir ve bu da alan gerektirir. MBCFET transistörünün özellikleri, kanalların genişliğini ve sayısını ayarlamanız gereken tek bir fiziksel kapı içinde değiştirilebilir.
GAA süreci kullanılarak üretim için bir prototip çipin dijital tasarımının (bantlanmış) bulunması, Samsung'un MBCFET transistörlerinin yeteneklerinin sınırlarını belirlemesine olanak tanıdı. Bunların hala bilgisayar modelleme verileri olduğu ve yeni teknik sürecin ancak seri üretime geçtikten sonra nihai olarak değerlendirilebileceği unutulmamalıdır. Ancak bir başlangıç noktası var. Şirket, 7 nm sürecinden (tabii ki ilk nesil) GAA sürecine geçişin kalıp alanında %45, tüketimde ise %50 azalma sağlayacağını söyledi. Tüketimden tasarruf etmezseniz verimlilik %35 oranında artırılabilir. Daha önce Samsung, 3nm sürecine geçerken tasarruf ve üretkenlik artışı elde etmişti virgüllerle ayrılmış. Ya biri ya da diğeri olduğu ortaya çıktı.
Şirket, bağımsız çip geliştiricileri ve fablessız şirketler için halka açık bir bulut platformunun hazırlanmasını, 3nm süreç teknolojisinin yaygınlaştırılmasında önemli bir nokta olarak görüyor. Samsung, üretim sunucularındaki geliştirme ortamını, proje doğrulamasını ve kitaplıklarını gizlemedi. SAFE (Samsung Advanced Foundry Ecosystem Cloud) platformu dünya çapındaki tasarımcıların kullanımına sunulacak. SAFE bulut platformu, Amazon Web Services (AWS) ve Microsoft Azure gibi büyük genel bulut hizmetlerinin katılımıyla oluşturuldu. Cadence ve Synopsys tasarım sistemleri geliştiricileri tasarım araçlarını SAFE içerisinde sağladılar. Bu, Samsung süreçleri için yeni çözümler oluşturmayı daha kolay ve daha ucuz hale getirmeyi vaat ediyor.
Samsung'un 3nm süreç teknolojisine dönecek olursak, şirketin çip geliştirme paketinin ilk versiyonu olan 3nm GAE PDK Versiyon 0.1'i sunduğunu da ekleyelim. Onun yardımıyla bugün 3nm çözümler tasarlamaya başlayabilir veya en azından yaygınlaştığında bu Samsung süreciyle tanışmaya hazırlanabilirsiniz.
Samsung gelecek planlarını şu şekilde açıklıyor. Bu yılın ikinci yarısında 6 nm sürecini kullanan çiplerin seri üretimine başlanacak. Aynı zamanda 4nm proses teknolojisinin geliştirilmesi de tamamlanacak. 5nm sürecini kullanan ilk Samsung ürünlerinin geliştirilmesi bu sonbaharda tamamlanacak ve üretim önümüzdeki yılın ilk yarısında başlayacak. Ayrıca bu yılın sonuna kadar Samsung, 18FDS işlem teknolojisinin (FD-SOI yonga levhalarında 18 nm) ve 1 Gbit eMRAM yongalarının geliştirilmesini tamamlayacak. 7 nm'den 3 nm'ye kadar proses teknolojileri, EUV tarayıcılarını giderek artan yoğunlukta kullanacak ve her nanometrenin önemli olmasını sağlayacak. Aşağı inerken her adım kavgayla atılacak.
Kaynak: 3dnews.ru