Tayvan'daki endüstri kaynaklarına göre, İnternet kaynağı DigiTimes, Çinli bellek üreticisi ChangXin Bellek Teknolojileri (CXMT), LPDDR4 belleğin seri üretimi için hatlar hazırlamaya tüm hızıyla devam ediyor. Innotron Memory olarak da bilinen ChangXin'in 19nm teknolojisini kullanarak kendi DRAM üretim sürecini geliştirdiği söyleniyor.
İlk 300 mm'lik işletmesinde ticari bellek üretimi için ChangXin'in 2019'un ilk yarısında. Ne yazık ki bu henüz gerçekleşmedi. Ancak 8 Gbit DDR4 LPDDR4 yongalarının üretimine başlanması, kapasitenin ayda 20 bin 300 nm silikon levhaya genişletilmesiyle birlikte gerçekleşecek. ChangXin işletmesindeki hatların maksimum kapasitesi ayda 125 bin 300 mm levhaya ulaşıyor. Ancak bu aynı zamanda sınır değildir. Şirket, gelecek yıl 300 mm hafızalı levhaları işlemek için ikinci bir tesis kurmaya başlayacağını söyledi.
Aynı zamanda bu Çinli üreticinin farklı türden sorunlarla da karşılaşması muhtemel. DRAM belleğin seri üretimine başlayacak ilk Çinli firmanın Fujian Jinhua olduğunu hatırlayalım. ABD, Amerikalı ortaklardan üretim ekipmanı satın almayı yasakladı. Tayvan'da ChangXin'in Fujian ile aynı sorunlarla karşılaşacağına inanıyorlar. Buna ek olarak, işleri Amerikan Micron tarafından devralınan Japon Elpida'nın Tayvan'daki eski yan kuruluşundan kalifiye mühendisler işe aldı. Analistler, Micron'un ChangXin'e karşı iddialarda bulunmasını ve Çin tarafının yanıt vermemesi halinde yaptırım uygulanmasını bekliyor.
Buna paralel olarak ChangXin, 17 nm standartlarında bellek üretmek için teknik bir süreç geliştiriyor. Geliştirme çalışmalarının 2021 yılında tamamlanması bekleniyor. Muhtemelen ikinci ChangXin tesisi bu standartlarda DRAM kristallerinin üretimi ile çalışmaya başlayacak. Tabii ABD yaptırımları ve Micron'un entrikaları onun yolunda aşılmaz bir engel haline gelmezse.
Kaynak: 3dnews.ru