Analitik şirketin tahminlerine göre SiC (silisyum karbür) ve GaN (galyum nitrür) bazlı güç yarı iletkenleri pazarı, elektrikli araçlara, güç kaynaklarına ve fotovoltaik dönüştürücülere olan talebin etkisiyle 2021'de 1 milyar doları aşacak. Bu, güç kaynaklarının ve dönüştürücülerin daha küçük ve daha hafif olacağı ve hem elektrikli araçlar hem de elektronik cihazlar için daha uzun menzil sağlayacağı anlamına geliyor.
Bu yılın sonuçlarına göre, Omdia'nın tahmin ettiği gibi, SiC ve GaN elementleri pazarının fiyatı 854 milyon dolara çıkacak. Karşılaştırma için, 2018'de "silikon olmayan" güç yarı iletkenleri pazarının değeri 571 milyon dolardı. Üç yıl içinde pazarın değeri neredeyse iki kat artacak ve bu da bu bileşenlere acil ihtiyaç olduğunu gösteriyor.
Silisyum karbür ve galyum nitrür bazlı güç yarı iletkenleri, geniş bir aralıktaki akımlar için en yüksek verimlilik değerlerine sahip güç kaynakları ve dönüştürücüler için diyotlar, transistörler ve mikro devreler üretmeyi mümkün kılar. Elektrikli bir aracın menzilini artırmak veya bir akıllı telefonun pil ömrünü artırmak için sadece modern ve kapasiteli pillere değil, aynı zamanda geçici işlemler ve ara devreler sırasında enerji kaybetmeyen yarı iletkenlere de ihtiyacımız var.
SiC ve GaN hücre üreticilerinin gelirinin, on yılın geri kalanında her yıl çift haneli artış göstererek 2029'da 5 milyar dolara ulaşması bekleniyor.
Kaynak:
Kaynak: 3dnews.ru