Перехід з кремнію на напівпровідники з широкою забороненою зоною (нітрид галію, карбід кремнію та інші) дозволяє значно підняти робочі частоти та підвищити ефективність рішень. Тому однією із сфер перспективного застосування широкозонних чіпів та транзисторів є зв'язок та радари. Електроніка на GaN-рішеннях «на рівному місці» дає приріст потужності та розширення дальності радарів, чим відразу ж скористалися військові.
Компанія Lockheed Martin , що до військ США поставлені перші мобільні радіолокаційні установки (РЛС) на основі електроніки з елементами з нітриду галію. Нічого нового в компанії не вигадували. На елементну базу GaN було переведено прийняті з 2010 року на озброєння контрбатарейні РЛС AN/TPQ-53. Це перший і поки що єдиний у світі радар на широкозонних напівпровідниках.
За рахунок переходу на активні GaN-компоненти РЛС AN/TPQ-53 підвищила дальність виявлення закритих артилерійських позицій та отримала можливість одночасного стеження повітряних цілей. Зокрема, РЛС AN/TPQ-53 почала застосовуватись проти безпілотників, включаючи малі апарати. Ідентифікація закритих артилерійських позицій може вестись як у секторі 90 градусів, так і з 360-градусним круговим оглядом.
Компанія Lockheed Martin є єдиним постачальником радарів з активними ФАР (фазованими антеними гратами) у війська США. Перехід на GaN елементну базу дозволяє розраховувати на подальше багаторічне лідерство в галузі вдосконалення та виробництва радарних установок.
Джерело: 3dnews.ru