Єдиний у світі розробник дискретних мікросхем магніторезистивної пам'яті MRAM, компанія Everspin Technologies продовжує вдосконалювати технології виробництва. Сьогодні Everspin та компанія GlobalFoundries разом розробити технологію випуску мікросхем STT-MRAM із нормами 12 нм та транзисторами FinFET.
На рахунку компанії Everspin понад 650 патентів та додатків, пов'язаних з пам'яттю MRAM. Це пам'ять, запис у комірку якої схожа запис інформації на магнітну пластину жорсткого диска. Тільки у випадку мікросхем кожен осередок має свою (умовно) магнітну головку. Пам'ять STT-MRAM, що прийшла їй на зміну, на основі ефекту перенесення спинового моменту електрона працює з ще меншими енергетичними витратами, оскільки відбувається з використанням менших струмів в режимах запису і читання.
Спочатку пам'ять MRAM на замовлення Everspin випускала компанія NXP на своєму заводі в США. У 2014 році Everspin уклала договір про спільну роботу з компанією GlobalFoundries. Разом вони почали розробляти техпроцеси виробництва дискретної та вбудованої MRAM (STT-MRAM) з використанням передових техпроцесів.
Згодом на потужностях GlobalFoundries був налагоджений випуск 40-нм та 28-нм чіпів STT-MRAM (закінчуючи новинкою ― 1-Гбіт дискретним чіпом STT-MRAM), а також підготовлений техпроцес 22FDX для інтеграції масивів STT-MRAM у контролери з використанням нм техпроцесу на пластинах FD-SOI. Новий договір Everspin та GlobalFoundries призведе до перенесення випуску мікросхем STT-MRAM на 22-нм техпроцес.
Пам'ять MRAM швидкодії наближається до пам'яті SRAM і потенційно може замінити її в контролерах для Інтернету речей. При цьому вона енергонезалежна і набагато стійкіша до зношування, ніж звичайна пам'ять NAND. Перехід на 12-нм норми дозволить збільшити щільність запису MRAM, але це її головний недолік.
Джерело: 3dnews.ru