Сьогодні вранці в південнокорейському Сеулі Intel провела захід "Memory and Storage Day 2019", присвячений перспективним планам на ринку пам'яті та твердотільних накопичувачів. На ньому представники компанії розповіли про майбутні моделі Optane, про прогрес у розробці п'ятибітової PLC NAND (Penta Level Cell) та про інші перспективні технології, які вона збирається просувати протягом наступних років. Також Intel розповіла про своє бажання у дальній перспективі впровадити енергонезалежну оперативну пам'ять у настільних комп'ютерах та про нові моделі звичних SSD для цього сегменту.
Найбільш несподіваною частиною презентації Intel про розробки, що ведуться, стала розповідь про PLC NAND — ще більш щільний різновид флеш-пам'яті. Компанія підкреслює, що за останні два роки загальна кількість вироблених у світі даних подвоїлася, тому накопичувачі на базі чотирибітової QLC NAND вже не здаються гарним вирішенням цієї проблеми — галузь потребує якихось варіантів із більшою щільністю зберігання інформації. Виходом має стати флеш-пам'ять типу Penta-Level Cell (PLC), у кожному осередку якої зберігається відразу по п'ять бітів даних. Таким чином, ієрархія видів флеш-пам'яті незабаром стане виглядати як SLC-MLC-TLC-QLC-PLC. Нова PLC NAND зможе зберігати в п'ять разів більше даних у порівнянні з SLC, але, природно, з меншою продуктивністю та надійністю, оскільки для запису та читання п'яти бітів контролер повинен буде розрізняти 32 різні стани заряду комірки.
Варто зауважити, що Intel у своєму прагненні зробити ще щільнішу флеш-пам'ять не самотня. Про плани створення PLC NAND під час Flash Memory Summit, що пройшов у серпні, говорила також і компанія Toshiba. Однак технологія Intel має суттєві відмінності: компанія використовує осередки пам'яті з плаваючим затвором, тоді як розробки Toshiba будуються навколо осередків на базі пастки заряду. Плаваючий затвор при зростанні щільності зберігання інформації видається найкращим рішенням, оскільки він мінімізує взаємний вплив і перетікання зарядів у комірках і дає змогу зчитувати дані з меншою кількістю помилок. Іншими словами, дизайн Intel найкраще підходить для нарощування щільності, що підтверджується результатами випробувань комерційно доступної QLC NAND, зробленої за різними технологіями. Такі тести показують, що деградація даних у осередках QLC-пам'яті, побудованих на базі плаваючого затвора, відбувається вдвічі-втричі повільніше, ніж у осередках QLC NAND з пасткою заряду.
На цьому тлі досить цікавою виглядає інформація про те, що Micron вирішила розділити свої розробки флеш-пам'яті з Intel, зокрема, через бажання перейти на використання осередків з пасткою зарядів. Intel же залишається прихильником первісної технології та планомірно впроваджує її у всіх нових рішеннях.
Крім PLC NAND, яка поки що продовжує перебувати в стадії розробки, Intel має намір збільшувати щільність зберігання інформації у флеш-пам'яті застосуванням та інших більш доступних технологій. Зокрема, компанія підтвердила швидкий перехід на масовий випуск 96-шарової QLC 3D NAND: вона застосовуватиметься у новому споживчому накопичувачі. .
Потім піде освоєння виробництва 144-шарової QLC 3D NAND - вона потрапить у серійні накопичувачі наступного року. Цікаво, що при цьому Intel поки що заперечує наміри використовувати триразову «спайку» монолітних кристалів, тому в той час як 96-шаровий дизайн передбачає вертикальне складання двох 48-шарових кристалів, 144-шарова технологія, мабуть, базуватиметься на 72-шарових. «напівфабрикати».
Разом із зростанням кількості шарів у кристалах QLC 3D NAND розробники Intel поки що не мають наміру нарощувати ємність самих кристалів. На базі 96- та 144-шарової технологій будуть випускатися такі ж терабітні кристали, як у 64-шарової QLC 3D NAND першого покоління. Це з бажанням забезпечити SSD з її основі прийнятний рівень продуктивності. Першими SSD, де буде застосовано 144-шарову пам'ять, стануть серверні накопичувачі Arbordale+.
Джерело: 3dnews.ru