Дослідники із США осередок пам'яті, що записує дані рахунок механічного зміщення металевих шарів товщиною в три атома. Такий осередок пам'яті обіцяє найвищу щільність запису і вимагає мінімум енергії для її здійснення.
Про розробку повідомила зведена група вчених із лабораторії SLAC Стенфордського університету, Каліфорнійського університету в Берклі та Техаського університету A&M. Дані опубліковані в журналі .
Вчені провели серію експериментів зі стеками з 2D-металу під назвою дителурид вольфраму. Товщина кожного шару 2D-металу в стосі становила три атоми, що обіцяє появу дуже щільного запису в порівнянні з осередками пам'яті з кремнію. Експерименти виявили, що невелика порція прикладеної до стеку енергії викликає ковзання (зміщення) кожного непарного шару в стосі шарів. Це відбувається так швидко, що відкриття може призвести до створення надзвичайно продуктивної пам'яті комп'ютера, інформацію в якій можна зберігати без підтримки живлення (енергонезалежно).
Запис інформації (нуля чи одиниці) відбувається у процесі зміщення шару металу у стосі. Зсув шару викликає зміни в русі електронів у верхніх і нижніх шарах 2D-металів по відношенню до зміщеного шару. Щоб вважати цю інформацію, вчені пропонують задіяти квантовий ефект під назвою . Це народжений усередині матеріалу магнітний потік, який виникає під час руху заряджених частинок усередині кристалічної решітки.
Судячи з опису експерименту, пам'ять на шарах, що зсуваються в стеках 2D-металів - це дуже і дуже віддалена перспектива. Але перспектива дуже приваблива, яка обіцяє 100 разів прискорити запис даних для довготривалого зберігання. На цьому шляху потрібно зробити безліч дослідів та підібрати найкраще поєднання матеріалів.
Джерело:
Джерело: 3dnews.ru