Модулі пам'яті, побудовані на чіпах Samsung B-die, мабуть, є одним із найпопулярніших варіантів серед ентузіастів. Однак південнокорейський виробник вважає їх застарілими і в даний час зупиняє їх виробництво, пропонуючи на зміну інші мікросхеми DDR4-пам'яті, для виробництва яких використовуються новітні техпроцеси. Це означає, що життєвий цикл небуферизованих модулів DDR4-пам'яті Samsung, заснованих на мікросхемах B-die, зараз завершився, і незабаром вони пропадуть з продажу. Припинять поставки подібних модулів та інші виробники, які використовують у виробах мікросхеми Samsung B-die.
Чіпи Samsung B-die та модулі пам'яті на їх основі завоювали широке визнання завдяки універсальності та розгінному потенціалу. Вони чудово масштабуються за частотою, добре реагують на зростання напруги живлення та допускають роботу при вкрай агресивних таймінгах. Окремим важливим плюсом модулів на базі мікросхем Samsung B-die виступає їхня невибагливість та широка сумісність з різними контролерами пам'яті, за що вони особливо улюблені власниками систем на базі процесорів Ryzen.
Однак для виробництва чіпів B-die використовується досить старий технологічний процес з нормами 20 нм, тому бажання компанії Samsung відмовитися від випуску таких напівпровідникових пристроїв на користь сучасніших альтернатив цілком зрозуміле. Нещодавно компанія оголосила про початок виробництва чіпів DDR4 SDRAM за технологією 1z-нм класу (третього покоління), а мікросхеми, вироблені за техпроцесом з нормами 1y-нм (другого покоління), випускаються вже понад півтора року. Саме на них і закликає переходити виробник. Чіпам B-die офіційно встановлений статус EOL (End of Life) - закінчення життєвого циклу.
Замість легендарних чіпів Samsung B-die тепер поширення набуватиме інших пропозицій. Стадії масового виробництва досягли чіпи M-die, для створення яких використовується техпроцес із нормами 1y нм. Також до стадії кваліфікаційного виробництва дісталися і чіпи A-die, що виробляються за більш прогресивною технологією з нормами 1z нм. Це означає, що пам'ять на чіпах M-die з'явиться у продажу найближчим часом, а модулі, побудовані на мікросхемах A-die, стануть доступними користувачам протягом півроку.
Головною перевагою нових мікросхем пам'яті з оновленими ядрами, окрім сучасних техпроцесів і потенційно більш високого частотного потенціалу, виступає їх збільшена ємність. Вони дозволяють випускати односторонні модулі DDR4-пам'яті з ємністю 16 Гбайт та двосторонні модулі з ємністю 32 Гбайт, що раніше було неможливо.
Цього літа можна чекати істотних змін у номенклатурі наявних на ринку модулів пам'яті DDR4 SDRAM. Крім нових чіпів Samsung у планках пам'яті також повинні почати застосовуватися чіпи E-die компанії Micron та C-die компанії SK Hynix. Цілком ймовірно, що всі ці зміни стануть причиною зростання не тільки середнього об'єму, а й частотного потенціалу середньостатистичних модулів DDR4 SDRAM.
Джерело: 3dnews.ru