Смартфони вже не перший рік випереджають ноутбуки та настільні ПК за обсягом оперативної пам'яті на борту. Компанія Samsung вирішила ще більше збільшити цей розрив. Для майбутніх апаратів преміального класу вона 16-Гбайт чіпів DRAM LPDDR5.
Нові мікросхеми пам'яті Samsung рекордної ємності складаються з 12 складених у стовпчик кристалів. Вісім з них мають об'єм по 12 Гбіт, а чотири по 8 Гбіт. У сумі виходить одна мікросхема пам'яті об'ємом 16 Гб. Очевидно, що якби всі кристали в стеку були по 12 Гбіт, то Samsung представила б 18-Гбайт чіп, що, ймовірно, вона зробить в найближчому майбутньому.
Мікросхема Samsung ємністю 16 Гбайт виконана в стандарті LPDDR5 з пропускною здатністю 5500 Мбіт/с кожного контакту шини даних. Це приблизно в 1,3 рази швидше, ніж у разі мобільної пам'яті LPDDR4X (4266 Мбіт/с). Якщо порівнювати з 8-Гбайт чіпом LPDDR4X (упаковкою), то нова 16-Гбайт мікросхема LPDDR5 на тлі дворазового подвоєння обсягу та зростання швидкості забезпечує 20-відсоткову економію споживання.
Зазначимо, 16-Гбайт чіп LPDDR5 зібраний із кристалів пам'яті, випущених з використанням другого покоління техпроцесу класу 10 нм. У другій половині цього року на підприємстві в Південній Кореї Samsung обіцяє розпочати масовий випуск 16-Гбіт кристалів LPDDR5 з використанням третього покоління техпроцесу класу 10 нм. Ці кристали будуть не тільки найбільш ємними, але також будуть швидшими з пропускною здатністю 6400 Мбіт/с на контакт.
Сучасні преміальні смартфони та смартфони найближчого майбутнього, впевнені в Samsung, не зможуть обійтися без великого обсягу оперативної пам'яті. «Розумна» фотографія з розширенням динамічного діапазону та іншими «фішками», мобільні ігри з приголомшливою графікою, віртуальна та доповнена реальності ― все це з підкріпленням мережами 5G зі збільшеною пропускною здатністю і, що більш важливо, зі зменшеними затримками вимагатиме швидшого зростання пам'яті смартфонів, а не в ПК.
Джерело: 3dnews.ru