Samsung почала приймати замовлення на виготовлення 5-нм чіпів

Компанія Samsung використовує перевагу першопрохідника напівпровідникової літографії із застосуванням сканерів діапазону EUV. Поки TSMC готується почати використовувати сканери з довжиною хвилі 13,5 нм у червні, адаптувавши їх для випуску чіпів у рамках другого покоління техпроцесу з нормами 7 нм, Samsung занурюється глибше. заявляє про завершення розробки техпроцесу із проектними нормами 5 нм. Більш того, південнокорейський гігант оголосив початок прийому замовлень на випуск 5-нм рішень для виробництва на мультипроектних пластинах. Це означає, що Samsung готова приймати цифрові проекти чіпів із нормами 5 нм та випускати досвідчені партії робочого 5-нм кремнію.

Швидко перейти від пропозиції 7-нм техпроцесу з EUV на виробництво 5-нм рішень також з EUV компанії допомогла та обставина, що Samsung зберегла сумісність проектних елементів (IP), інструментів проектування та контролю. До того ж це означає, що клієнти компанії заощадять кошти на придбання засобів проектування, тестування та готових IP-блоків. Набори PDK для проектування, методологія (DM, design methodologies) та платформи автоматичного проектування EDA стали доступними ще в рамках розробки чіпів для 7-нм норм Samsung з EUV у четвертому кварталі минулого року. Всі ці інструменти забезпечать розробку цифрових проектів для техпроцесу 5 нм з транзисторами FinFET.

У порівнянні з 7-нм техпроцесом з використанням сканерів EUV, який компанія запустила у жовтні минулого року техпроцес з нормами 5 нм забезпечить збільшення ефективності використання площі кристала на 25 % (Samsung уникає прямих заяв про зниження розмірів площі кристал на 25 %, що залишає їй простір для маневру цифрами). Також перехід на 5-нм техпроцес дозволить або знизити на 20% споживання чіпів, або підвищити на 10% продуктивність рішень. Ще одним бонусом стане скорочення кількості фотомасок, які необхідні для виробництва напівпровідників.

Випуском продукції з використанням сканерів EUV компанія Samsung займається на заводі S3 у місті Хвасон. У другій половині поточного року компанія завершить будівництво нового виробництва поряд із Fab S3, яке буде готове випускати чіпи з використанням EUV-техпроцесів наступного року.

Джерело: 3dnews.ru