Менш за рік знадобилося компанії SK Hynix, щоб перейти від етапу завершення пам'яті HBM2E до її масового виробництва. Але головне навіть не ця разюча оперативність, а унікальні швидкісні характеристики нових чіпів HBM2E. Пропускна здатність мікросхем HBM2E SK Hynix досягає 460 Гбайт/с на кожну мікросхему, що на 50 Гбайт/с перевищує попередні показники.
Значний ривок продуктивності пам'яті типу HBM має статися під час переходу на або HBM3. Тоді швидкість обміну підніметься до 820 Гб/с. Поки ж пропуск заповнюватимуть чіпи компанії SK Hynix, швидкість обміну з кожного висновку яких становить 3,6 Гбіт/с. Кожна така мікросхема збирається із восьми кристалів (шарів). Якщо врахувати, що у кожному шарі розташований 16-Гбіт кристал, то загальна ємність нових мікросхем становить 16 Гбайт.
Пам'ять із подібним поєднанням характеристик починає бути затребуваною та актуальною для створення рішень у сфері машинного навчання та штучного інтелекту. Вона виросла зі сфери ігрових відеокарт, де свого часу отримала старт завдяки відеокарт компанії AMD. Сьогодні головне призначення пам'яті HBM - це високопродуктивні обчислення та ІІ.
«SK Hynix знаходиться в авангарді технологічних інновацій, які сприяють людській цивілізації завдяки досягненням, у тому числі першій у світі розробці продуктів HBM», ― сказав Чонхун О (Jonghoon Oh), виконавчий віце-президент та директор з маркетингу (CMO) у SK Hynix . "Завдяки повномасштабному серійному виробництву HBM2E ми продовжимо зміцнювати свою присутність на ринку пам'яті преміум-класу і очолимо четверту промислову революцію".
Джерело:
Джерело: 3dnews.ru