Південнокорейська компанія SK hynix оголосила, що почне масове виробництво оперативної пам'яті з високою пропускною спроможністю наступного покоління — HBM4 — до 2026 року. Раніше компанія повідомила, що розпочне розробку HBM4 вже цього року. Джерело зображення: Wccftech
Джерело: 3dnews.ru
