TSMC: перехід від 7 до 5 нм підвищує щільність розміщення транзисторів на 80 %

Компанія TSMC цього тижня вже анонсувала освоєння нового ступеня літографічних технологій, що отримала умовне позначення N6. У прес-релізі повідомлялося, що цей ступінь літографії буде доведений до стадії ризикового виробництва до першого кварталу 2020 року, але тільки стенограма квартальної звітної конференції TSMC дозволила дізнатися про нові подробиці про терміни освоєння так званої 6-нм технології.

Слід нагадати, що TSMC вже серійно випускає широку номенклатуру 7-нм виробів - минулого кварталу вони формували 22% виручки компанії. За прогнозами керівництва TSMC, поточного року на частку техпроцесів N7 і N7+ припадатиме не менше 25% виручки. Друге покоління 7-нм техпроцесу (N7+) має на увазі ширше застосування літографії з наджорстким ультрафіолетовим випромінюванням (EUV). У той же час, як підкреслюють представники TSMC, саме отриманий при впровадженні техпроцесу N7+ досвід дозволив компанії запропонувати клієнтам техпроцес N6, який повністю повторює екосистему проектування N7. Це дозволяє розробникам у найкоротші терміни та з мінімальними матеріальними витратами перейти з N7 або N7+ на N6. Генеральний директор Сі Сі Вей (CC Wei) на квартальній конференції навіть висловив упевненість, що всі клієнти TSMC, які використовують 7-нм техпроцес, перейдуть на використання 6-нм технології. Раніше він в аналогічному контексті згадував про готовність "майже всіх" користувачів 7-нм техпроцесу TSMC мігрувати на 5-нм техпроцес.

TSMC: перехід від 7 до 5 нм підвищує щільність розміщення транзисторів на 80 %

Доречно пояснити, які переваги забезпечує 5-нм техпроцес (N5) у виконанні TSMC. Як зізнався Сі Сі Вей, за тривалістю життєвого циклу N5 буде одним із «довгограючих» в історії компанії. При цьому від 6-нм техпроцесу з погляду розробника він істотно відрізнятиметься, тому перехід на 5-нм норми проектування вимагатиме істотних зусиль. Наприклад, якщо 6-нм техпроцес порівняно з 7-нм забезпечує збільшення щільності розміщення транзисторів на 18%, то різниця між 7-нм і 5-нм буде досягати 80%. З іншого боку, приріст швидкодії транзисторів у своїй не перевищить 15 %, отже теза уповільнення дії «закону Мура» у разі підтверджується.

TSMC: перехід від 7 до 5 нм підвищує щільність розміщення транзисторів на 80 %

Все це не заважає главі TSMC стверджувати, що техпроцес N5 буде «найбільш конкурентоспроможним у галузі». З його допомогою компанія розраховує не лише збільшити свою частку ринку у існуючих сегментах, а й залучити нових клієнтів. У контексті освоєння 5-нм техпроцесу спеціальні сподівання покладаються на сегмент рішень для високопродуктивних обчислень (HPC). Зараз на його частку припадає не більше 29% виторгу TSMC, а 47% виручки приносять компоненти для смартфонів. Згодом частка сегмента HPC повинна буде збільшуватися, хоч і розробники процесорів для смартфонів охоче освоюватимуть нові літографічні норми. Розвиток мереж покоління 5G також стане однією з причин зростання виручки найближчими роками, вважають у компанії.


TSMC: перехід від 7 до 5 нм підвищує щільність розміщення транзисторів на 80 %

Нарешті з вуст генерального директора TSMC прозвучало підтвердження початку випуску серійної продукції із застосуванням техпроцесу N7+, який використовує EUV-літографію. Рівень виходу придатної продукції з цього техпроцесу можна порівняти з 7-нм технологією першого покоління. Впровадження EUV, за словами Сі Сі Вея, не може забезпечити моментальної економічної віддачі — поки що витрати досить високі, але як тільки виробництво «набере обертів», собівартість продукції почне знижуватися типовими для останніх років темпами.



Джерело: 3dnews.ru

Додати коментар або відгук