За даними індустріальних джерел на Тайвані, на які інтернет-ресурс DigiTimes, китайський виробник пам'яті, компанія ChangXin Memory Technologies (CXMT) повним ходом веде підготовку ліній до масового випуску пам'яті LPDDR4. Компанія ChangXin, відома також під ім'ям Innotron Memory, як стверджується, розробила власний техпроцес виробництва DRAM з використанням 19-нм технологічних норм.
До комерційного випуску пам'яті на своєму першому 300-мм підприємстві ChangXin мала у першій половині 2019 року. На жаль, поки що цього не сталося. Але старт виробництва 8-Гбіт чіпів DDR4 LPDDR4 супроводжуватиметься розширенням потужностей до 20 тис. 300-нм кремнієвих підкладок на місяць. Максимальна потужність ліній на підприємстві ChangXin досягає 125 тис. 300 мм пластин на місяць. Але це теж не межа. У компанії повідомили, що наступного року почнуть будувати другий завод для обробки 300 мм підкладок з пам'яттю.
У той же час цей китайський виробник може зіткнутися з іншими проблемами. Нагадаємо, перша китайська компанія, яка збиралася розпочати масовий випуск пам'яті DRAM - Fujian Jinhua - США із забороною закуповувати у американських партнерів виробниче обладнання. На Тайвані вважають, що ChangXin зіштовхнеться з тими самими проблемами, що і Fujian. До того ж вона набрала на роботу кваліфікованих інженерів з колишнього дочірнього тайванського підприємства японської Elpida, бізнес якої поглинений американською Micron. Аналітики чекають позовів до ChangXin з боку Micron та санкцій у разі відсутності реакції китайської сторони.
Паралельно ChangXin веде розробку техпроцесу пам'яті з нормами 17 нм. Завершення розробки очікується у 2021 році. Ймовірно, другий завод ChangXin розпочне роботу із випуску кристалів DRAM саме з цими нормами. Якщо, звичайно, у неї на шляху непереборною перешкодою не стануть санкції США та підступи Micron.
Джерело: 3dnews.ru