За прогнозами аналітичної компанії У 2021 році ринок силових напівпровідників на основі SiC (карбіду кремнію) і GaN (нітриду галію) перевищить $1 млрд, що зумовлено попитом на електромобілі, блоки живлення та фотоелектричні перетворювачі. Це означає, що блоки живлення та перетворювачі стануть компактнішими і легшими, що забезпечить більш тривалий пробіг як електромобілям, так і електроніці.
За підсумками поточного року, як прогнозують в Omdia, ринок SiC- та GaN-елементів подорожчає до $854 млн. Для порівняння, у 2018 році ринок «некремнієвих» силових напівпровідників коштував $571 млн. Тим самим за три роки відбудеться майже дворазове збільшення вартості ринку що говорить про крайню потребу у цих компонентах.
Силові напівпровідники на основі карбіду кремнію та нітриду галію дозволяють випускати діоди, транзистори та мікросхеми для блоків живлення та перетворювачів з найвищим значенням ККД для струмів у широких межах. Для збільшення дальності пробігу електромобіля або збільшення часу автономної роботи смартфона потрібні не тільки сучасні і ємні акумулятори, але також напівпровідники, які не втрачають енергію на перехідних процесах і на проміжних ланцюгах.
Очікується, що до кінця десятиліття виручка виробників SiC- та GaN-елементів щороку збільшуватиметься на двозначну величину, досягнувши у 2029 році позначки на рівні $5 млрд.
Джерело:
Джерело: 3dnews.ru