У США розроблено нову технологію виробництва нанометрових напівпровідників

Подальший розвиток мікроелектроніки неможливо уявити без удосконалення технологій виробництва напівпровідників. Щоб розширити межі та навчитися випускати дедалі дрібніші елементи на кристалах потрібні нові технології та нові інструменти. Однією з таких технологій може стати проривна технологія американських вчених.

Група дослідників з Аргонського національної лабораторії Міністерства енергетики США розробила нову методику створення та травлення найтонших плівок на поверхні кристалів. Потенційно це може призвести до виробництва чіпів із меншими масштабами технологічних норм, ніж сьогодні й у найближчій перспективі. Публікацію про дослідження розміщено в журналі Chemistry of Materials.

Запропонована методика нагадує традиційний процес атомно-шарового осадження та травлення, тільки замість неорганічних плівок нова технологія створює та працює з органічними плівками. Власне, за аналогією нова технологія названа молекулярно-шаровим осадженням (MLD, molecular layer deposition) та молекулярно-шаровим травленням (MLE, molecular layer etching).

Як і у випадку атомно-шарового травлення, метод MLE використовує газову обробку в камері поверхні кристалу з плівками з матеріалу на органічній основі. Кристал циклічно обробляється двома різними газами поперемінно до тих пір, поки плівка не стоншується до заданої товщини.

Хімічні процеси у своїй підпорядковуються законам саморегуляції. Це означає, що шар за шаром знімаються рівномірно та контрольовано. Якщо використовувати фотошаблони, на кристалі можна відтворити топологію майбутнього чіпа і витравити малюнок з високою точністю.

В експерименті вчені використовували для молекулярного травлення газ із вмістом солей літію та газ на основі триметилалюмінію. У процесі травлення з'єднання літію реагувало з поверхнею плівки алукона (alucone) таким чином, що літій осаджувався на поверхні та руйнував хімічний зв'язок у плівці. Потім подавався триметилалюміній, який видаляв шар плівки з літієм, і так по черзі доти, доки плівка не зменшувалася до потрібної товщини. Хороша керованість процесом, упевнені вчені, може дозволити запропонованій технології підштовхнути розвиток напівпровідникового виробництва.

Джерело: 3dnews.ru