Силові напівпровідники піднімаються на сходинку вище. Замість кремнію у справу йде нітрид галію (GaN). Інвертори та блоки живлення на GaN-транзисторах працюють із ККД до 99 %, забезпечуючи найвищу ефективність енергетичних систем від електростанцій до систем зберігання та використання електрики. Лідерами нового ринку є компанії зі США, Європи та Японії. Тепер у цю область перша компанія із Китаю.
Днями китайський виробник гаджетів компанія ROCK випустила перший зарядний пристрій із підтримкою швидкого заряджання на «китайському чіпі». В основі звичайного рішення, загалом, лежить GaN силове складання серії InnoGaN компанії Inno Science. Чіп виконаний у стандартному для компактних блоків живлення формфакторі DFN 8×8.
Заряджання ROCK 2C1AGaN потужністю 65 Вт компактніше і функціональніше, ніж зарядний пристрій Apple 61W PD (порівняння вище на фото). Китайська зарядка може одночасно заряджати три пристрої за двома інтерфейсами USB Type-C та одним USB Type-A. У майбутньому ROCK на китайських GaN-складаннях планує випустити версії швидких зарядок потужністю 100 і 120 Вт. Окрім неї з виробником силових GaN-елементів компанією Inno Science співпрацюють ще близько 10 китайських виробників зарядних пристроїв та блоків живлення.
Дослідження китайських компаній і, зокрема, компанії Inno Science у галузі силових GaN-компонентів покликані призвести до незалежності Китаю від закордонних постачальників аналогічних рішень. Компанія Inno Science має власний центр розробок та лабораторію для повного циклу тестування рішень. Але що важливіше, вона має дві виробничі лінії для випуску GaN-рішень на 200 мм підкладках. Для світу і навіть для ринку Китаю це крапля в морі. Але з чогось треба починати.
Джерело: 3dnews.ru