آج صبح سیول، جنوبی کوریا میں، Intel نے میموری اور سالڈ سٹیٹ ڈرائیو مارکیٹ میں مستقبل کے منصوبوں کے لیے وقف "میموری اینڈ سٹوریج ڈے 2019" ایونٹ کا انعقاد کیا۔ وہاں، کمپنی کے نمائندوں نے مستقبل کے آپٹین ماڈلز، فائیو بٹ PLC NAND (پینٹا لیول سیل) کی ترقی میں پیش رفت اور دیگر امید افزا ٹیکنالوجیز کے بارے میں بات کی جن کو وہ آنے والے سالوں میں فروغ دینے کا ارادہ رکھتی ہے۔ Intel نے ڈیسک ٹاپ کمپیوٹرز میں غیر مستحکم RAM کو طویل مدتی میں متعارف کرانے کی اپنی خواہش اور اس طبقہ کے لیے واقف SSDs کے نئے ماڈلز کے بارے میں بھی بات کی۔
جاری پیشرفت کے بارے میں انٹیل کی پیشکش کا سب سے غیر متوقع حصہ PLC NAND کے بارے میں کہانی تھی - فلیش میموری کی اس سے بھی زیادہ گھنی قسم۔ کمپنی اس بات پر زور دیتی ہے کہ گزشتہ دو سالوں کے دوران، دنیا میں تیار کردہ ڈیٹا کی کل مقدار دوگنی ہو گئی ہے، اس لیے فور بٹ QLC NAND پر مبنی ڈرائیوز اب اس مسئلے کا کوئی اچھا حل نہیں لگتی ہیں - صنعت کو کچھ اختیارات کی ضرورت ہے اسٹوریج کثافت. آؤٹ پٹ پینٹا لیول سیل (PLC) فلیش میموری ہونا چاہیے، جس کا ہر سیل ایک ساتھ پانچ بٹس ڈیٹا کو اسٹور کرتا ہے۔ اس طرح، فلیش میموری کی اقسام کا درجہ بندی جلد ہی SLC-MLC-TLC-QLC-PLC کی طرح نظر آئے گا۔ نیا PLC NAND SLC کے مقابلے میں پانچ گنا زیادہ ڈیٹا ذخیرہ کرنے کے قابل ہو گا، لیکن یقیناً کم کارکردگی اور وشوسنییتا کے ساتھ، کیونکہ کنٹرولر کو پانچ بٹس لکھنے اور پڑھنے کے لیے سیل کے چارج کی 32 مختلف حالتوں میں فرق کرنا پڑے گا۔ .
یہ بات قابل غور ہے کہ انٹیل اس سے بھی زیادہ تیز فلیش میموری بنانے کی جستجو میں اکیلا نہیں ہے۔ توشیبا نے اگست میں منعقد ہونے والی فلیش میموری سمٹ کے دوران PLC NAND بنانے کے منصوبوں کے بارے میں بھی بات کی۔ تاہم، انٹیل کی ٹیکنالوجی نمایاں طور پر مختلف ہے: کمپنی فلوٹنگ گیٹ میموری سیل استعمال کرتی ہے، جب کہ توشیبا کے ڈیزائن چارج ٹریپ پر مبنی سیلز کے گرد بنائے گئے ہیں۔ معلومات کے ذخیرہ کرنے کی کثافت میں اضافے کے ساتھ، ایک تیرتا ہوا گیٹ بہترین حل لگتا ہے، کیونکہ یہ خلیات میں باہمی اثر و رسوخ اور چارجز کے بہاؤ کو کم کرتا ہے اور کم غلطیوں کے ساتھ ڈیٹا کو پڑھنا ممکن بناتا ہے۔ دوسرے لفظوں میں، Intel کا ڈیزائن کثافت بڑھانے کے لیے بہتر موزوں ہے، جس کی تصدیق تجارتی طور پر دستیاب QLC NAND کے ٹیسٹ کے نتائج سے ہوتی ہے جو مختلف ٹیکنالوجیز کا استعمال کرتے ہوئے بنائے گئے ہیں۔ اس طرح کے ٹیسٹ سے پتہ چلتا ہے کہ QLC میموری سیلز میں ڈیٹا کی کمی تیرتے گیٹ کی بنیاد پر چارج ٹریپ والے QLC NAND سیلز کے مقابلے میں دو سے تین گنا سست ہوتی ہے۔
اس پس منظر میں، وہ معلومات جو مائیکرون نے چارج ٹریپ سیلز کو استعمال کرنے کی خواہش کی وجہ سے انٹیل کے ساتھ اپنی فلیش میموری کی ترقی کو شیئر کرنے کا فیصلہ کیا ہے، کافی دلچسپ لگتی ہے۔ Intel اصل ٹیکنالوجی کے لیے پرعزم ہے اور اسے تمام نئے حلوں میں منظم طریقے سے نافذ کرتا ہے۔
PLC NAND کے علاوہ، جو ابھی تک ترقی کے مراحل میں ہے، Intel دیگر، زیادہ سستی ٹیکنالوجیز کا استعمال کرتے ہوئے فلیش میموری میں معلومات کے ذخیرہ کرنے کی کثافت کو بڑھانے کا ارادہ رکھتا ہے۔ خاص طور پر، کمپنی نے 96-پرت QLC 3D NAND کی بڑے پیمانے پر پیداوار میں آنے والی منتقلی کی تصدیق کی: اسے ایک نئی صارف ڈرائیو میں استعمال کیا جائے گا۔ .
اس کے بعد 144-پرت کی QLC 3D NAND کی تیاری میں مہارت حاصل کی جائے گی - یہ اگلے سال پروڈکشن ڈرائیو کو متاثر کرے گی۔ یہ دلچسپ بات ہے کہ انٹیل نے اب تک یک سنگی کرسٹل کی ٹرپل سولڈرنگ استعمال کرنے کے کسی بھی ارادے سے انکار کیا ہے، لہٰذا جب کہ 96 پرت کے ڈیزائن میں دو 48 پرتوں کے کرسٹل کی عمودی اسمبلی شامل ہے، 144 پرت کی ٹیکنالوجی بظاہر 72 پرتوں پر مبنی ہوگی۔ "نیم تیار شدہ مصنوعات".
QLC 3D NAND کرسٹل میں تہوں کی تعداد میں اضافے کے ساتھ ساتھ، Intel ڈویلپرز ابھی تک خود کرسٹل کی صلاحیت کو بڑھانے کا ارادہ نہیں رکھتے ہیں۔ 96- اور 144-لیئر ٹیکنالوجیز کی بنیاد پر، وہی ٹیرابیٹ کرسٹل پہلی نسل کی 64-پرت QLC 3D NAND کے طور پر تیار کیے جائیں گے۔ یہ کارکردگی کی قابل قبول سطح کے ساتھ اس پر مبنی SSDs فراہم کرنے کی خواہش کی وجہ سے ہے۔ 144 لیئر میموری استعمال کرنے والی پہلی SSDs Arbordale+ سرور ڈرائیوز ہوں گی۔
ماخذ: 3dnews.ru