ایک قدم آگے، دو قدم پیچھے۔ اگر NAND فلیش سیل کے بارے میں ہے جس میں ہر ایک پر 16 بٹس لکھے گئے ہیں۔ ، پھر ہم سیل میں پانچ بٹس لکھنے کے بارے میں بات کر سکتے ہیں اور کرنا چاہیے۔ اور کہتے ہیں۔ فلیش میموری سمٹ 2019 میں، توشیبا NAND QLC میموری کی تیاری میں مہارت حاصل کرنے کے بعد اگلے مرحلے کے طور پر 5-bit NAND PLC سیل کو جاری کرنے کا خیال۔
NAND PLC میموری میں منتقلی NAND QLC کے مقابلے فلیش اری کی صلاحیت میں مزید 25% کا اضافہ کرے گی۔ تقریباً نیلے رنگ کے اور اسی رقم کے لیے، ایک 256 GB SSD 320 GB والے میں بدل جائے گا۔ تاہم، لباس کی مزاحمت، وشوسنییتا اور فلیش میموری کی رفتار کو نقصان پہنچے گا۔ اس سے صنعت کے رکنے کا امکان نہیں ہے۔ یہ صرف اتنا ہے کہ NAND PLC میموری کے ساتھ ڈرائیوز ان حلوں کے مرکز میں ہوں گی جہاں بار بار دوبارہ لکھنے کی ضرورت نہیں ہے، لیکن رسائی کی رفتار اہم ہے۔ مثال کے طور پر، محفوظ شدہ دستاویزات کی ریکارڈنگ کے لیے۔ وہ انہی دروازوں میں کھیلتا ہے۔ ، جب موسیقی، فلمیں اور ڈیٹا کے دیگر زمروں کو ان کے پہلے سے متعین میموری والے علاقوں میں سختی سے ریکارڈ کیا جاتا ہے۔
NAND PLC میموری کی متوقع لباس مزاحمت 10 nm کلاس پروسیس ٹکنالوجی کے لیے 70 ری رائٹ (ایریز) سائیکل سے 35 سائیکل تک کم ہو جائے گی۔ 3D NAND میموری کے لیے، یہ تعداد زیادہ ہو سکتی ہے، کیونکہ اس کی پیداوار میں بڑے تکنیکی عمل استعمال ہوتے ہیں۔ زیادہ پیچیدہ غلطیوں کو درست کرنے والے بلاکس کے لحاظ سے کنٹرولرز کو زیادہ پیچیدہ بنا کر سائیکلوں کی تعداد میں اضافہ کیا جا سکتا ہے، لیکن کنٹرولر کے پاس پہلے سے ہی QLC سیل میں 16-سطح کے سگنل کو ڈی کوڈ کرنے کا کام نہیں، بلکہ 32-سطح کے سگنل کو ڈی کوڈ کرنا ہوگا۔ PLC سیل۔
آپ کو یہ بھی سمجھنے کی ضرورت ہے کہ QLC سیل کے مقابلے PLC سیل میں چارجنگ (لیول ریکارڈنگ) کے لیے اور بھی کم جگہ ہوگی، یا 32-سطح کی ریکارڈنگ کے لیے سیل ایریا کو بڑھانا ہوگا۔ اگر ایسا نہیں کیا جاتا ہے تو، ریکارڈنگ کی وشوسنییتا کم ہو جائے گی یا کنٹرولر مزید پیچیدہ ہو جائے گا۔ ایک لفظ میں، بات کرنے کے لئے کچھ ہے. اگر انڈسٹری پانچ بٹ سیل کے ساتھ میموری پر سوئچ کرنے کا فیصلہ کرتی ہے، تو یہ 2021 تک نہیں ہو گا۔
ماخذ: 3dnews.ru