Samsung Electronics kompaniyasining yangi press-relizi 3 dan ortiq qatlamli 100D NANDni ommaviy ishlab chiqarishni boshlaganini. Mumkin bo'lgan eng yuqori konfiguratsiya 136 qatlamli chiplarga imkon beradi, bu esa zichroq 3D NAND flesh xotirasi yo'lida yangi bosqichni ko'rsatadi. Aniq xotira konfiguratsiyasining yo'qligi 100 dan ortiq qatlamli chip ikkita yoki, ehtimol, uchta monolitik 3D NAND o'lchagichdan (masalan, 48 qatlamli) yig'ilganligini ko'rsatadi. Kristallarni lehimlash jarayonida ba'zi chegara qatlamlari vayron bo'ladi va bu kristalldagi qatlamlar sonini aniq ko'rsatishni imkonsiz qiladi, shunda Samsung keyinchalik noaniqlikda ayblanmaydi.
Biroq, Samsung monolit strukturaning qalinligi bo'ylab teshib o'tish va gorizontal flesh-xotira massivlarini bitta xotira chipiga ulash imkoniyatini ochadigan noyob kanal teshiklarini o'rnatishni talab qilmoqda. Birinchi 100 qavatli mahsulotlar 3 Gbit sig‘imga ega 256D NAND TLC chiplari edi. Kompaniya joriy yilning kuzida 512(+) qatlamli 100 Gbitli chiplarni ishlab chiqarishni boshlaydi.
Yuqori sig'imli xotirani chiqarishni rad etish (ehtimol) yangi mahsulotlarni chiqarishda nuqsonlar darajasini pastroq xotira holatida nazorat qilish osonroq ekanligi bilan bog'liq. "Qavatlar sonini ko'paytirish" orqali Samsung imkoniyatlarini yo'qotmasdan kichikroq maydonga ega chip ishlab chiqarishga muvaffaq bo'ldi. Bundan tashqari, chip qaysidir ma'noda soddalashdi, chunki hozirda monolitdagi 930 million vertikal teshik o'rniga atigi 670 million teshik ochish kifoya. Samsungning fikricha, bu ishlab chiqarish sikllarini soddalashtirib, qisqartirib, mehnat unumdorligini 20 foizga oshirish imkonini berdi, ya'ni ko'proq va arzonroq xarajat.
100 qatlamli xotiraga asoslangan Samsung kompaniyasi SATA interfeysli 256 GB SSD ishlab chiqarishni boshladi. Mahsulotlar kompyuter OEMlariga yetkazib beriladi. Samsung yaqinda ishonchli va nisbatan arzon qattiq disklarni taqdim etishiga shubha yo'q.
100 qatlamli tuzilishga o'tish bizni ishlash yoki quvvat sarfini qurbon qilishga majburlamadi. Yangi 256 Gbit 3D NAND TLC 10 qatlamli xotiradan 96% tezroq edi. Chipning boshqaruv elektronikasining takomillashtirilgan dizayni yozish rejimida ma'lumotlarni uzatish tezligini 450 mks dan, o'qish rejimida esa 45 mks dan pastroq saqlash imkonini berdi. Shu bilan birga, iste'mol 15% ga kamaydi. Eng qizig'i shundaki, 100 qavatli 3D NAND asosida kompaniya 300 qavatli 3D NANDni keyingi 100 qavatli monolit 300 qavatli kristallarni birlashtirib chiqarishni va'da qilmoqda. Agar Samsung kelasi yili 3 qatlamli XNUMXD NAND-ni ommaviy ishlab chiqarishni boshlasa, bu raqobatchilar uchun og'riqli zarba bo'ladi. flesh xotira sanoati.
Manba: 3dnews.ru