Analitik kompaniya prognozlariga ko'ra , SiC (kremniy karbid) va GaN (galliy nitridi) asosidagi quvvatli yarimo'tkazgichlar bozori 2021 yilda elektr transport vositalari, quvvat manbalari va fotovoltaik konvertorlarga bo'lgan talab tufayli 1 milliard dollardan oshadi. Bu shuni anglatadiki, quvvat manbalari va konvertorlar kichikroq va engilroq bo'lib, elektr transport vositalari va elektronika uchun uzoqroq masofani ta'minlaydi.
Joriy yil natijalariga ko‘ra, Omdia bashorat qilganidek, SiC va GaN elementlari bozori 854 million dollargacha ko‘tariladi.Taqqoslash uchun, 2018-yilda “kremniy bo‘lmagan” quvvatli yarimo‘tkazgichlar bozori 571 million dollarga teng bo‘lgan. uch yil ichida bozor qiymatining deyarli ikki baravar oshishi kuzatiladi, bu esa ushbu komponentlarga shoshilinch ehtiyoj borligini ko'rsatadi.
Silikon karbid va galliy nitridiga asoslangan quvvat yarimo'tkazgichlari keng diapazondagi oqimlar uchun eng yuqori samaradorlik qiymatlariga ega quvvat manbalari va konvertorlar uchun diodlar, tranzistorlar va mikrosxemalarni ishlab chiqarish imkonini beradi. Elektr transport vositasining diapazonini ko'paytirish yoki smartfon batareyasining ishlash muddatini oshirish uchun bizga nafaqat zamonaviy va sig'imli batareyalar, balki vaqtinchalik jarayonlar va oraliq davrlarda energiya yo'qotmaydigan yarimo'tkazgichlar ham kerak.
SiC va GaN xujayralari ishlab chiqaruvchilarining daromadi qolgan o'n yil davomida har yili ikki raqamga o'sib, 2029 yilda 5 milliard dollarga yetishi kutilmoqda.
Manba:
Manba: 3dnews.ru