Thứ Năm ngày 18/XNUMX, trước sự chứng kiến của lãnh đạo đảng bộ, người đứng đầu tỉnh Giang Tô cũng như các nhân viên Lãnh sự quán Hàn Quốc, Giám đốc điều hành SK Hynix, Lee Seok-hee, đã long trọng phát biểu. xây dựng nhà máy mới tại địa điểm sản xuất của công ty ở Trung Quốc. Đây là nhà máy C2F gần thành phố Vô Tích bên cạnh công ty C2 Fab. C2 Fab là cơ sở đầu tiên của SK Hynix chứa các tấm silicon 300mm. Công ty bắt đầu sản xuất bộ nhớ loại DRAM ở Trung Quốc bằng cách sử dụng các tấm bán dẫn này.
Nhà máy Vô Tích bắt đầu sản xuất sản phẩm vào năm 2006. Khi quy trình công nghệ được cải tiến, thiết bị ngày càng phức tạp hơn. Máy quét và quy trình công nghệ mới yêu cầu mở rộng cơ sở hạ tầng dưới dạng thiết bị bổ sung. Do đó, khối lượng sản xuất xét về diện tích phòng sạch giảm xuống và nảy sinh nhu cầu mở rộng khu vực làm việc của doanh nghiệp. Vì vậy, năm 2016 xây dựng một tòa nhà mới, sau này được gọi là C2F.
Từ năm 2017 đến năm 2018, khoản đầu tư vào C2F lên tới 950 tỷ won Hàn Quốc (790 triệu USD). Cần lưu ý rằng ở tòa nhà mới chỉ mới hoàn thiện một phần phòng sạch. Công ty không tiết lộ năng lực của các dây chuyền đã hoàn thiện và không nêu rõ thời điểm dự định đưa các khu vực còn lại vào hoạt động. Có thể giả định rằng trong năm nay, do giá bán buôn DRAM có xu hướng giảm, SK Hynix sẽ tạm dừng đầu tư vào dự án này. Dù sao, các nhà phân tích chỉ là một kịch bản như vậy Các công ty có kế hoạch tiếp tục tài trợ cho các dự án để mở rộng năng lực sản xuất bộ nhớ không sớm hơn nửa cuối năm nay hoặc sớm nhất là vào năm tới.
Khu phức hợp C2F được thiết kế như một tòa nhà đơn lẻ có cạnh 316 × 180 mét, cao 51 mét trên diện tích 58 m000. Tòa nhà C2 Fab có kích thước tương tự. Người ta ước tính nhưng không chắc chắn rằng nhà máy C2 có thể xử lý tới 2 tấm bán dẫn có đường kính 130 mm mỗi tháng. Công suất tối đa của xưởng mới có thể dự kiến sẽ tương đương hoặc gần bằng giá trị này.
Nguồn: 3dnews.ru