Everspin Technologies, nhà phát triển chip nhớ MRAM từ trở rời duy nhất trên thế giới, tiếp tục cải tiến công nghệ sản xuất. Ngày nay Everspin và GlobalFoundries cùng nhau phát triển công nghệ sản xuất vi mạch STT-MRAM chuẩn 12 nm và bóng bán dẫn FinFET.
Everspin có hơn 650 bằng sáng chế và ứng dụng liên quan đến bộ nhớ MRAM. Đây là bộ nhớ, việc ghi vào một ô tương tự như việc ghi thông tin vào tấm từ của đĩa cứng. Chỉ trong trường hợp vi mạch, mỗi tế bào mới có đầu từ (có điều kiện) riêng. Bộ nhớ STT-MRAM thay thế nó, dựa trên hiệu ứng truyền động lượng spin của electron, hoạt động với chi phí năng lượng thậm chí còn thấp hơn vì nó sử dụng dòng điện thấp hơn ở chế độ ghi và đọc.
Ban đầu, bộ nhớ MRAM do Everspin đặt hàng được NXP sản xuất tại nhà máy ở Mỹ. Vào năm 2014, Everspin đã ký kết thỏa thuận hợp tác chung với GlobalFoundries. Họ cùng nhau bắt đầu phát triển các quy trình sản xuất MRAM rời rạc và nhúng (STT-MRAM) bằng cách sử dụng các quy trình sản xuất tiên tiến hơn.
Theo thời gian, các cơ sở của GlobalFoundries đã bắt đầu sản xuất chip STT-MRAM 40 nm và 28 nm (kết thúc bằng một sản phẩm mới - chip STT-MRAM rời rạc 1 Gbit), đồng thời chuẩn bị công nghệ xử lý 22FDX để tích hợp STT- MRAM sắp xếp vào bộ điều khiển sử dụng công nghệ xử lý 22 nm trên tấm bán dẫn FD-SOI. Thỏa thuận mới giữa Everspin và GlobalFoundries sẽ dẫn đến việc chuyển giao hoạt động sản xuất chip STT-MRAM sang công nghệ xử lý 12 nm.
Bộ nhớ MRAM đang tiến gần đến hiệu suất của bộ nhớ SRAM và có khả năng thay thế nó trong bộ điều khiển cho Internet of Things. Đồng thời, nó không dễ bay hơi và có khả năng chống mài mòn cao hơn nhiều so với bộ nhớ NAND thông thường. Việc chuyển đổi sang tiêu chuẩn 12 nm sẽ làm tăng mật độ ghi của MRAM và đây là nhược điểm chính của nó.
Nguồn: 3dnews.ru