Các nguồn tin mạng đã công bố thông số kỹ thuật chi tiết của vi xử lý di động Qualcomm Snapdragon 735, dự kiến sẽ được công bố vào cuối năm nay.
Cần phải bảo lưu ngay rằng dữ liệu được công bố về bản chất là không chính thức và do đó độ tin cậy của chúng vẫn còn là vấn đề. Các đặc tính cuối cùng của chip có thể khác nhau.
Có thông tin cho rằng sản phẩm Snapdragon 735 sẽ nhận được 400 lõi điện toán Kryo 1 Series theo cấu hình “1+6+2,9”: tần số của các đơn vị này sẽ lần lượt lên tới 2,4 GHz, 1,8 GHz và XNUMX GHz.
Hệ thống con đồ họa sẽ bao gồm bộ tăng tốc Adreno 620 với tần số 750 MHz. Khả năng làm việc với màn hình có độ phân giải lên tới 3360 × 1440 pixel được đề cập.
Người ta nói rằng bộ xử lý sẽ bao gồm modem 5G để hoạt động trong mạng di động thế hệ thứ năm. Ngoài ra, Bộ xử lý thần kinh (NPU220 @ 1 GHz) cũng được đề cập, được thiết kế để tăng tốc độ thực thi các hoạt động liên quan đến trí tuệ nhân tạo.
Con chip này sẽ được sản xuất bằng công nghệ 7 nanomet. Nền tảng này được cho là sẽ cung cấp hỗ trợ lên tới 16 GB RAM LPDDR4X-2133, ổ flash UFS 2.1 và eMMC 5.1, giao tiếp không dây Wi-Fi 802.11ac 2x2, giao diện USB Type-C, v.v.
Những chiếc điện thoại thông minh đầu tiên chạy Snapdragon 735 dự kiến sẽ được tung ra thị trường vào đầu năm tới.
Nguồn: 3dnews.ru