Tuần này công ty Trung Quốc YMTC về việc phát triển bộ nhớ flash 128D NAND 3 lớp phá kỷ lục. Người Trung Quốc sẽ bỏ qua khâu sản xuất bộ nhớ 96 lớp và cuối năm nay họ sẽ bắt đầu sản xuất ngay bộ nhớ 128 lớp. Như vậy, họ sẽ đạt đến trình độ người dẫn đầu ngành, tương đương với việc vẫy một miếng giẻ đỏ trước mặt một con bò đực. Và những “con bò đực” đã phản ứng đúng như mong đợi.
Trang ETNews của Hàn Quốc hôm nay rằng Samsung đã đẩy nhanh quá trình phát triển 160D NAND 3 lớp (hay V-NAND, như công ty gọi là bộ nhớ flash nhiều lớp). Samsung gọi đây là chiến lược “siêu khoảng cách”, hay còn gọi là đi trước, giúp các nhà lãnh đạo công nghệ Hàn Quốc dẫn đầu trong cuộc cạnh tranh. Vì thành công của Samsung nằm ở trung tâm của nền kinh tế Hàn Quốc nên đây là vấn đề thịnh vượng của cả quốc gia nên công ty rất coi trọng công việc của mình.
Samsung giới thiệu bộ nhớ với hơn 100 lớp trong . Chúng ta có thể giả định rằng công ty đã phát hành bộ nhớ 128 lớp thông thường trong quý thứ ba liên tiếp (số lớp chính xác vẫn chưa được xác định). Tiếp theo sẽ là bộ nhớ Samsung với 160 lớp hoặc thậm chí nhiều hơn. Nó sẽ thuộc thế hệ bộ nhớ V-NAND thứ 7. Theo tin đồn, công ty đã đạt được tiến bộ đáng kể trong quá trình phát triển. Có ý kiến cho rằng Samsung sẽ là hãng đầu tiên đạt được mốc 160 lớp, như đã từng xảy ra với tất cả các thế hệ bộ nhớ 3D NAND trước đây.
Nguồn: 3dnews.ru