AMD称光刻技术是提高现代处理器性能的主要因素之一

由应用材料公司主办的 Semicon West 2019 大会已经取得了成果,AMD 首席执行官苏姿丰 (Lisa Su) 发表了有趣的言论。 尽管AMD本身已经很长时间没有自己生产处理器了,但今年在所用技术的先进程度方面已经超越了主要竞争对手。 尽管格罗方德在 7 纳米技术标准的竞争中让 AMD 与台积电单独竞争,但掌握这一阶段光刻工艺的成功通常归功于 AMD。 最终,该公司继续独立设计处理器,而台积电只是提出让这些项目适应其生产能力。

AMD称光刻技术是提高现代处理器性能的主要因素之一

从发表的零碎照片可以判断 Twitter 行业博主David Schor在Semicon West会议上,Lisa Su谈到了当前半导体行业面临的问题。 AMD认为,现在就将所谓的“摩尔定律”视为错误理论还为时过早,因为正是光刻领域的进步使该公司在过去两年半的时间里将处理器的速度提高了一倍与过去十年的产品相比。

无论如何,正如 AMD 在幻灯片上指出的那样,这种情况下的技术流程对性能提升的贡献至少占 40%。 如果我们再加上硅级优化提供的 20%,我们就得到了完整的 60%。 微架构层面的变化占总增量的17%,电源管理占15%,编译器又占8%。 不管怎么说,如果没有光刻领域的进步,AMD 不可能取得如此成功。


AMD称光刻技术是提高现代处理器性能的主要因素之一

AMD管理层还指出了另一个趋势:技术工艺越薄,生产大型晶体的成本就越高。 例如,核心面积为 250 mm2 的传统晶体,当从 45 nm 工艺技术转向 5 nm 工艺技术时,按单位面积的具体成本水平计算,其价格将贵出五倍。 因此,为了维持经济上可行的成本,处理器芯片必须变得更加紧凑。 AMD 正在通过改用所谓的“小芯片”(组合在一个基板上的小晶体)来实现这一论点。

AMD称光刻技术是提高现代处理器性能的主要因素之一

第三张幻灯片由博主的相机拍摄,讨论了高度集成的现代处理器中的电力消耗者的分布。 只有三分之一的能源消耗是由于计算工作造成的。 其余部分由高速缓冲存储器、输入/输出逻辑和各种接口占用。 据 AMD 称,自 2006 年以来,服务器 CPU 和 GPU 的 TDP 水平每年增长 7%。 能源消耗的效率并没有我们想象的那么高。



来源: 3dnews.ru

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