全球领先的半导体行业光刻系统（EUV 和 DUV）供应商 ASML 在 EUV 光刻技术方面取得了突破性进展，并计划到 2030 年将芯片产量提高 50%。该公司工程师已将光源功率提高到 1000 瓦，使每小时可处理多达 330 片硅晶圆，并显著降低先进处理器的制造成本。
根据消息 路透社研究人员开发出一种能够显著提升极紫外（EUV）光刻系统光源功率的方法。这项技术进步将在本十年末之前使设备生产效率提高50%，并巩固公司在日益激烈的中美制造商竞争中的地位。ASML首席技术专家迈克尔·珀维斯（Michael Purvis）证实，这套1000瓦的系统在实际生产条件下功能完好，并指出将功率进一步提升至2000瓦不存在任何根本性的障碍。
将光源功率从目前的 600 瓦提升至 1000 瓦的主要优势在于单位时间内能够生产更多产品。由于芯片采用光刻技术印刷，更高的辐射强度可以缩短硅片上化学层的曝光时间。EUV Machines 副总裁 Teun van Gogh 预测，此次升级将使设备到 2030 年每小时处理晶圆的速度从目前的 220 片提升至约 330 片。扫描仪吞吐量的提高将降低客户的单件设备成本，并有助于提升 EUV 技术的经济可行性。
为了实现这一计划，ASML 对一项已被视为最具挑战性的工程技术之一的工艺进行了改进。该系统采用高功率激光器，通过喷射熔融锡流产生 13,5 纳米波长的光，并将锡转化为等离子体。其关键创新在于将液滴频率提高到每秒 10 万次，并采用双激光脉冲设计来塑造液滴形状，这使其与现有系统区别开来。科罗拉多州立大学教授 Jorge J. Rocca 对这项工作的规模给予了高度评价，称实现千瓦级功率是一项卓越的成就，需要对多种技术有深入的理解。
路透社指出，正是这种高工程门槛帮助这家荷兰控股公司与新兴竞争对手保持距离，例如美国初创公司 Substrate 和 xLight，这些公司正在美国政府的财政支持下开发其解决方案。
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来源： 3dnews.ru
