大脑模型的发展受到缺乏快速、密集且非易失性的合适记忆的限制。 对于计算机和智能手机来说，也没有足够的具有类似特性的内存。 英国物理学家的发现有望使必要的普遍记忆的出现更加接近。
发明 英国兰卡斯特大学的物理学家。 早在去年六月的《自然》杂志上，他们就 ，其中他们谈到了通用存储器悖论的解决方案，必须结合不兼容的因素：DRAM 的速度和 NAND 的非易失性。
六月份的文章详细介绍了一种利用电子量子特性的存储单元。 由于该粒子的波动性，它可以 通过禁止的障碍。 为此，电子必须具有一定量的“共振”能量。 当对科学家开发的电池施加高达 2,6 V 的小电位时，电子开始隧道穿过由砷化铟和锑化铝 (InAs / AlSb) 材料制成的三层势垒。 在正常情况下，该屏障可防止电子通过，并将其保留在单元中而无需供电，这使得写入单元中的值可以长期存储。
在最新一月号的 IEEE Transactions on Electron Devices 中，同样的研究人员 他们能够创建可靠的电路来从这些单元读取数据，并学会将单元组合成存储阵列。 在此过程中，物理学家发现“过渡势垒的清晰度”为创建非常密集的细胞阵列创造了先决条件。 此外，在 20 纳米工艺技术的模拟过程中，我们发现所提出的单元的能源效率可能比 DRAM 内存高 100 倍。 同时，科学家们称之为新型ULTRARAM存储器的运行速度与DRAM的速度相当，并且在性能方面下降到10纳秒以内。
目前，科学家们正忙于设计 ULTRARAM 阵列并将解决方案转移到硅上。 设计用于从单元写入和读取数据的逻辑节点的阶段也已经开始。 有趣的是，科学家们已经为新内存注册了商标（见上图）。
来源： 3dnews.ru