如 中国通讯社长江存储科技有限公司 (YMTC) 已准备好其专有 Xtacking 技术的第二版，以优化多层 3D NAND 闪存的生产。我们记得，Xtacking技术在去年XNUMX月的年度闪存峰会论坛上亮相，甚至获得了“闪存领域最具创新创业公司”类别的奖项。
当然，将一家拥有数十亿美元预算的企业称为初创公司显然是低估了该公司，但说实话，长江存储还没有大规模生产产品。该公司将在接近今年年底时开始大规模商业供应 3D NAND，届时将开始生产 128 Gbit 64 层存储器，顺便说一下，该存储器将得到相同的创新 Xtacking 技术的支持。
据近日报道，近日在GSA Memory+论坛上，长江存储CTO唐江坦言Xtacking 2.0技术将于2019月份亮相。不幸的是，该公司的技术负责人没有分享新开发的细节，所以我们必须等到八月。正如过去的实践表明，该公司一直保密到最后，在 2.0 年闪存峰会开始之前，我们不太可能了解到有关 Xtacking XNUMX 的任何有趣信息。
至于Xtacking技术本身，它的目标是三点： 对3D NAND及其产品的生产具有决定性影响。这些是闪存芯片接口的速度、记录密度的增加以及将新产品推向市场的速度。 Xtacking 技术可让您将 3D NAND 芯片中内存阵列的交换速率从 1–1,4 Gbit/s（ONFi 4.1 和 ToggleDDR 接口）提高到 3 Gbit/s。随着芯片容量的增长，对交换速度的要求也会提高，中国人希望在这方面率先取得突破。
提高记录密度还有另一个障碍——3D NAND 芯片上不仅存在存储器阵列，而且还存在外围控制和电源电路。这些电路占用了内存阵列 20% 到 30% 的可用面积，甚至占用了 128 Gbit 芯片 50% 的芯片表面。在Xtacking技术中，存储器阵列是在自己的芯片上生产的，而控制电路是在另一个芯片上生产的。该晶体完全专用于存储单元，芯片组装最后阶段的控制电路连接到带有存储器的晶体上。
单独的制造和随后的组装还可以更快地开发定制存储芯片和定制产品，这些芯片和定制产品可以像砖块一样组装成正确的组合。这种方法使我们能够将定制存储芯片的开发时间缩短至少 3 个月，而总开发时间为 12 至 18 个月。更大的灵活性意味着更高的客户兴趣，这对年轻的中国制造商来说就像需要空气一样。
来源： 3dnews.ru