全球唯一一家分立磁阻 MRAM 存储芯片开发商 Everspin Technologies 不断改进生产技术。 今天 Everspin 和 GlobalFoundries 共同开发采用 12 nm 标准和 FinFET 晶体管生产 STT-MRAM 微电路的技术。
Everspin 拥有超过 650 项与 MRAM 内存相关的专利和应用。 这就是存储器，写入其单元类似于将信息写入硬盘的磁板。 只有在微电路的情况下，每个单元才有自己的（有条件的）磁头。 取代它的 STT-MRAM 存储器基于电子自旋动量转移效应，运行时的能源成本更低，因为它在写入和读取模式下使用更低的电流。
最初，Everspin 订购的 MRAM 内存是由 NXP 在其美国工厂生产的。 2014年，Everspin与GlobalFoundries签订了联合工作协议。 他们一起开始使用更先进的制造工艺开发分立式和嵌入式 MRAM (STT-MRAM) 制造工艺。
随着时间的推移，GlobalFoundries 工厂开始生产 40 纳米和 28 纳米 STT-MRAM 芯片（最后推出了新产品 - 1 Gbit 分立 STT-MRAM 芯片），并准备了 22FDX 工艺技术来集成 STT-在 FD-SOI 晶圆上使用 22 nm 纳米工艺技术将 MRAM 阵列集成到控制器中。 Everspin 和 GlobalFoundries 之间的新协议将导致 STT-MRAM 芯片的生产转移到 12 纳米工艺技术。
MRAM 存储器的性能正在接近 SRAM 存储器，并且有可能在物联网控制器中取代它。 同时，它具有非易失性，并且比传统 NAND 存储器更耐磨损。 向12 nm标准的过渡将增加MRAM的记录密度，这是它的主要缺点。
来源： 3dnews.ru