明年中国人将开始对 NAND 市场产生显着影响

正如我们多次报道的那样,64层3D NAND存储器将于今年年底在中国开始量产。 存储器制造商长江存储科技(YMTC)及其母公司清华紫光集团已经不止一次或两次谈论过这一问题。 经过 非官方数据64层128Gbit长江存储芯片可能会在第三季度开始量产。 此类内存样本的分布, 指定 来自TrendForce的DRAMeXchange分析师表示,该公司从今年第一季度开始。 目前,长江存储首个300毫米硅片加工厂所在的武汉工厂正在生产限量的32层64Gbit 3D NAND。

明年中国人将开始对 NAND 市场产生显着影响

这家中国制造商并未开始大规模生产 32 层 3D NAND,而是专注于尽快转向生产或多或少具有竞争力的 128 Gbit 64 层 NAND 闪存。 这将为明年第一家长江存储工厂的产量达到每月 60 万片 300 毫米晶圆的水平铺平道路。 这样的产量无法与三星、SK 海力士或美光的能力相提并论,这三家公司每月可处理多达 200 万个基板。 但中国 3D NAND 的大量供应可能会加剧制造商的负面市场趋势,而且正如 DRAMeXchange 所自信的那样,它们肯定会对明年的 NAND 内存和基于此类内存的产品市场产生重大影响。

明年中国人将开始对 NAND 市场产生显着影响

顺便说一句,经验丰富的竞争对手本身就为长江存储带来了先机。 今年,为了遏制生产过剩,市场领导者正在减少对工业生产线开发的投资,甚至部分减少当前 5D NAND 芯片的产量(减少 15-3%)。 这意味着向92-96层3D NAND而非64-72层量产的转变将放缓并推迟到明年。 这也将推迟领导者向 128 层 3D NAND 发布的过渡。 相反,长江存储不仅不减少投资,还会刻意跳过96层3D NAND的发布,并在明年立即开始生产128层存储器。 这一技术突破将把中国与美国和韩国竞争对手之间的差距缩小到一两年,这对于行业资深人士来说也不是一个好兆头。



来源: 3dnews.ru

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