三星电子最新新闻稿 已开始量产3层以上100D NAND。最高配置允许芯片具有 136 层，这标志着迈向更密集的 3D NAND 闪存之路的新里程碑。缺乏清晰的内存配置暗示超过 100 层的芯片是由两个或很可能是三个单片 3D NAND 芯片（例如 48 层）组装而成。在焊接晶体的过程中，一些边界层被破坏，这使得无法准确指示晶体的层数，因此三星后来不会被指责不准确。
然而，三星坚持采用独特的沟道孔蚀刻，这开启了穿透单片结构的厚度并将水平闪存阵列连接到一个存储芯片中的可能性。首批100层产品是容量为3 Gbit的256D NAND TLC芯片。该公司将于今年秋季开始生产 512(+) 层的 100 Gbit 芯片。
拒绝发布更高容量的内存是因为（可能）在发布新产品时，在低容量内存的情况下，缺陷程度更容易控制。通过“增加层数”，三星能够在不损失产能的情况下生产面积更小的芯片。此外，芯片在某些方面变得更简单，因为现在整块芯片上不再有 930 亿个垂直孔，只需蚀刻 670 亿个孔就足够了。据三星称，这简化并缩短了生产周期，使劳动生产率提高了 20%，意味着成本越来越低。
基于100层内存，三星开始生产带有SATA接口的256GB SSD。该产品将供应给PC OEM。毫无疑问，三星将很快推出可靠且相对便宜的固态硬盘。
向 100 层结构的过渡并没有迫使我们牺牲性能或功耗。全新 256Gbit 3D NAND TLC 整体速度比 10 层内存快 96%。芯片控制电子器件的改进设计使得写入模式下的数据传输率保持在 450 μs 以下，读取模式下的数据传输率保持在 45 μs 以下。与此同时，消耗量减少了15%。最有趣的是，基于100层3D NAND，该公司承诺接下来将发布300层3D NAND，只需将三个传统单片100层晶体连接起来即可。如果三星明年能够开始量产300层3D NAND，对于竞争对手来说将是一个惨痛的打击， 闪存行业。
来源： 3dnews.ru