就内存容量而言，智能手机多年来一直领先于笔记本电脑和台式电脑。三星决定进一步拉大这一差距。对于未来的高级设备 16GB LPDDR5 DRAM 芯片。
三星破纪录的新容量存储芯片由 12 个堆叠晶体组成。其中 12 个容量为 8 Gbit，16 个容量为 12 Gbit。总共有一颗容量为18GB的存储芯片。显然，如果堆栈中的所有芯片都是 XNUMX Gbit，那么三星将推出 XNUMX GB 芯片，在可预见的未来，它很可能会这样做。
三星芯片容量为16GB，采用LPDDR5标准，每个数据总线引脚的吞吐量为5500Mbit/s。这比 LPDDR1,3X 移动内存 (4 Mbps) 快约 4266 倍。与8GB LPDDR4X芯片（封装）相比，全新16GB LPDDR5芯片在体积翻倍、速度提升的背景下，功耗节省20%。
请注意，16 GB LPDDR5 芯片由使用第二代 10 nm 级工艺技术生产的内存晶体组装而成。今年下半年，三星承诺在韩国的一家工厂开始使用第三代 16 nm 级工艺技术大规模生产 5 Gbit LPDDR10 晶体。这些芯片不仅具有最高的容量，而且速度更快，每个引脚的吞吐量为 6400 Mbps。
三星有信心，现代高端智能手机和不久的将来的智能手机将离不开大量的 RAM。具有扩展动态范围和其他功能的智能摄影、具有令人惊叹的图形、虚拟和增强现实的手机游戏——所有这一切都需要带宽增加、更重要的是减少延迟的 5G 网络的支持，将需要智能手机而不是 PC 更快的内存增长。
来源： 3dnews.ru