本周中国长江存储公司 开发破纪录的 128 层 3D NAND 闪存。 中国将跳过96层存储器的生产阶段，并在今年年底立即开始生产128层存储器。 这样，他们就达到了行业龙头的水平，相当于在公牛面前挥舞着红布。 “公牛”的反应正如预期的那样。
韩国网站 ETNews 今天 三星已加速开发 160 层 3D NAND（或 V-NAND，该公司称之为多层闪存）。 三星称之为“超级差距”战略，或者说领先，这应该有助于韩国科技领导者在竞争中保持领先地位。 由于三星的成功是韩国经济的核心，关系到整个国家的繁荣，因此该公司认真对待自己的工作。
三星推出100+层内存 。 我们可以假设该公司已连续第三季度发布传统的 128 层内存（确切的层数仍然未知）。 接下来出场的应该是160层甚至更多层的三星内存。 它将属于第7代V-NAND存储器。 据传，该公司的发展已取得重大进展。 有观点认为，三星将成为第一个达到 160 层大关的公司，就像所有前几代 3D NAND 内存一样。
来源： 3dnews.ru