三星电子继续深入研究 10 纳米级工艺技术。 此次，距离采用第二代16纳米级（4y-nm）工艺技术的DDR10内存开始量产仅1个月后，这家韩国制造商就完成了采用第三代4纳米级工艺技术的DDR10内存芯片的开发（ 1z-nm）工艺技术。 重要的是，第三代10nm级工艺仍然使用193nm光刻扫描仪，并不依赖低性能的EUV扫描仪。 这意味着使用最新 1z-nm 工艺技术进行内存大规模生产的过渡将相对较快，并且无需重新装备生产线而产生大量财务成本。
该公司将于今年下半年开始量产采用8纳米级4z纳米工艺技术的1Gbit DDR10芯片。 按照向 20nm 制程技术过渡以来的惯例，三星并未透露该制程技术的具体规格。 假设该公司的1x-nm 10-nm级技术工艺满足18 nm标准，1y-nm工艺满足17-或16-nm标准，最新的1z-nm满足16-或15-nm标准，并且甚至可能达到 13 nm。 无论如何，缩小技术流程的规模再次将一块晶圆的晶体产量提高了 20%，正如三星所承认的那样。 未来，这将使该公司能够以更便宜或更高的利润销售新内存，直到竞争对手在生产中取得类似的结果。 然而，令人有点担忧的是，三星无法制造 1z-nm 16 Gbit DDR4 晶体。 这可能暗示生产中的缺陷率会增加。
采用第三代10纳米级制程技术，该公司将率先生产服务器内存和高端PC内存。 未来，1z-nm 10nm级工艺技术将适用于DDR5、LPDDR5和GDDR6内存的生产。 服务器、移动设备和图形将能够充分利用更快、内存消耗更少的内存，这将通过向更薄的生产标准的过渡而得到促进。
来源： 3dnews.ru