据IBM官方说法，该公司于1996年发明了磁阻MRAM存储器。 这一进展是在研究硬盘驱动器磁板和磁头的薄膜结构后出现的。 该公司工程师发现的磁隧道结效应激发了利用这种现象来组织半导体存储单元的想法。 最初，IBM 与摩托罗拉一起开发了 MRAM 存储器。 然后这些许可证被卖给了美光、东芝、TDK、英飞凌和许多其他公司。 为什么要回顾历史？ 事实证明，希捷作为全球仅存的两家硬盘制造商之一，拥有大量 MRAM 生产技术专利。
昨天的希捷 ，它与 Everspin Technologies 之间签订了广泛的专利共享和许可交叉许可协议。 据称，希捷和 Everspin 都花费了数年时间进行研发，这对双方都极为有利。 因此，希捷将其在 MRAM 领域的开发成果的使用权转让给了 Everspin，而 Everspin 则允许希捷使用其技术来生产基于隧道磁阻 (TMR) 效应的磁头。
从本质上讲，希捷和 Everspin 已经建立了专利基础，可以帮助他们各自在各自的领域取得进步。 Everspin 的许可将帮助希捷改进硬盘磁头，并且希捷的许可不会干扰 Everspin 的 MRAM 开发和生产。 八月，Everspin 刚刚 大规模生产 1 Gbit STT-MRAM 芯片以及可能与希捷发生的许可纠纷只会损害这个仍不发达的半导体内存生产领域。
来源： 3dnews.ru