SK海力士从完成阶段迈入仅用了不到一年的时间 HBM2E 内存 它的批量生产。 但最重要的并不是这种惊人的效率，而是新型 HBM2E 芯片独特的速度特性。 HBM2E SK Hynix 芯片的吞吐量达到每芯片 460 GB/s，比之前的数字提高了 50 GB/s。
当切换到 HBM 内存性能时，应该会出现显着的飞跃 或 HBM3。 届时交换速度将提升至820GB/s。 与此同时，SK海力士的芯片将填补这一空白，其每路输出的交换速度为3,6 Gbit/s。 每个这样的微电路都由八个晶体（层）组装而成。 如果考虑到每层包含一个16Gbit的晶体，那么新芯片的总容量为16GB。
具有类似特征组合的存储器开始受到需求，并且与创建机器学习和人工智能领域的解决方案相关。 它脱胎于游戏显卡领域，曾一度得益于 AMD 的显卡。 如今，HBM 内存的主要用途是高性能计算和人工智能。
SK 海力士执行副总裁兼首席营销官 (CMO) Jonghoon Oh 表示：“SK 海力士处于技术创新的前沿，通过包括世界上第一个 HBM 产品开发在内的成就为人类文明做出贡献。” “随着 HBM2E 的全面量产，我们将继续加强在高端内存市场的地位，引领第四次工业革命。”
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来源： 3dnews.ru