据台湾业内人士透露， 互联网资源 DigiTimes 报道称，中国内存制造商长鑫存储科技（CXMT）正在紧锣密鼓地准备大规模生产 LPDDR4 内存的生产线。 ChangXin又名Innotron Memory，据称已经采用19nm技术开发了自己的DRAM生产工艺。
为了在其第一家 300 毫米工厂实现内存的商业化生产，长鑫必须 2019年上半年。可惜，这还没有发生。但随着 8 Gbit DDR4 LPDDR4 芯片开始生产，产能将扩大到每月 20 万片 300 纳米硅片。长鑫企业的生产线最大产能达到每月125万片300毫米晶圆。但这也不是限制。该公司表示，将于明年开始建设第二家工厂，加工 300 毫米内存晶圆。
与此同时，这家中国制造商可能面临另一种问题。让我们回想一下，中国第一家即将开始量产DRAM内存的公司是福建晋华。 美国禁止从美国合作伙伴购买生产设备。在台湾，他们认为长兴将面临与福建同样的问题。此外，它还从原日本尔必达台湾子公司（其业务被美国美光吸收）中招募了合格的工程师。分析人士预计，如果中方不做出回应，美光将针对长鑫提出索赔，并将实施制裁。
与此同时，长鑫正在开发一种生产 17 纳米标准内存的技术工艺。预计开发将于 2021 年完成。长兴第二工厂可能会开始生产符合这些标准的 DRAM 晶体。当然，除非美国的制裁和美光的阴谋成为她前进道路上不可逾越的障碍。
来源： 3dnews.ru