如果不改进半导体生产技术，就无法想象微电子学的进一步发展。 为了扩大边界并学习如何在晶体上生产更小的元素，需要新技术和新工具。 其中一项技术可能是美国科学家的突破性发展。
美国能源部阿贡国家实验室的研究团队 一种在晶体表面创建和蚀刻薄膜的新技术。 这可能会导致芯片生产规模比现在和不久的将来更小。 该研究发表在《材料化学》杂志上。
所提出的技术类似于传统工艺 蚀刻，只是代替无机薄膜，新技术创造并使用有机薄膜。 其实，以此类推，新技术被称为分子层沉积（MLD，分子层沉积）和分子层蚀刻（MLE，分子层蚀刻）。
与原子层蚀刻的情况一样，MLE方法在具有有机基材料膜的晶体表面的腔室中使用气体处理。 用两种不同的气体交替循环处理晶体，直到薄膜减薄至给定的厚度。
化学过程受自我调节法则的约束。 这意味着一层又一层地以受控方式均匀地去除。 如果使用光掩模，则可以在芯片上重现未来芯片的拓扑结构，并以最高精度蚀刻设计。
在实验中，科学家使用含有锂盐的气体和基于三甲基铝的气体进行分子蚀刻。 在蚀刻过程中，锂化合物与铝酮薄膜表面发生反应，锂沉积在表面，破坏了薄膜中的化学键。 然后加入三甲基铝，一层一层地去除含锂的薄膜，如此一层一层地去除，直至薄膜减薄至所需的厚度。 科学家认为，该过程的良好可控性可以使所提出的技术推动半导体生产的发展。
来源： 3dnews.ru