电阻式非易失性存储器正在悄然渗透生活。 日本松下公司宣布开始生产采用 40 nm 技术标准的内置 ReRAM 存储器的微控制器。 但由于许多其他原因,所展示的芯片也很有趣。
正如新闻稿告诉我们的
ReRAM 存储器依赖于氧化层中受控电阻的原理,这使得它具有很强的抗辐射能力。 因此,在消毒(灭菌)过程中使用辐射暴露的仪器和药品生产过程中,需要该微控制器来管理医疗设备的保护。
让我们详细讨论一下 ReRAM。 松下开发这种类型的内存大约有 20 年,甚至更久。 该公司于 2013 年开始使用 180 nm 工艺技术生产带有 ReRAM 的微控制器。 当时,松下的ReRAM无法与NAND竞争。 随后,松下与台湾公司联华电子合作,开发生产40纳米标准的ReRAM。
今天推出的采用 40 nm ReRAM 的松下微控制器很可能是在日本 UMC 工厂(几年前从富士通购买)生产的。 嵌入式 40nm ReRAM 在许多参数上已经可以与嵌入式 40nm NAND 竞争:速度、可靠性、更高的擦除周期数和抗辐射性。
至于松下微控制器的主要功能,它增加了针对黑客攻击和数据盗窃的保护。 该解决方案将用于工业设备和广泛的基础设施。 每个芯片都内置有一个独特的模拟标识符 - 类似于人的指纹。 使用这个“指纹”,将生成一个唯一的密钥来验证网络上的芯片并从中传输(接收)数据。 密钥永远不会出来,并将在身份验证后立即销毁,这将防止控制器内存中的密钥被拦截。
该微控制器还配备了 NFC 收发器。 即使设备断电,例如,如果攻击者关闭受保护设施的电源,也可以读取来自控制器的数据。 此外,借助NFC和移动设备,控制器(平台)可以连接到互联网,甚至无需专门为此部署网络。 弱点仍然是互联网服务提供商,但这不是松下的问题。
来源: 3dnews.ru