美國陸軍接收第一台基於氮化鎵半導體的移動雷達

從矽到寬頻隙半導體(氮化鎵、碳化矽等)的轉變可以顯著提高工作頻率並提高解決方案的效率。 因此,寬禁帶晶片和電晶體最有前途的應用領域之一是通訊和雷達。 基於 GaN 解決方案的電子產品「出乎意料」地提高了雷達的功率並擴大了雷達的範圍,軍方立即利用了這一點。

美國陸軍接收第一台基於氮化鎵半導體的移動雷達

洛克希德馬丁公司 已報告第一個基於氮化鎵元素電子裝置的移動雷達裝置(雷達)已交付給美軍。 該公司沒有拿出任何新的東西。 自2010年起採用的AN/TPQ-53反電池雷達已轉移至GaN元件底座。 這是世界上第一個也是迄今為止唯一的寬禁帶半導體雷達。

透過改用主動 GaN 元件,AN/TPQ-53 雷達增加了封閉火砲陣地的偵測範圍,並獲得了同時追蹤空中目標的能力。 特別是AN/TPQ-53雷達開始用於對付無人機,包括小型車輛。 可以90度扇形和360度全方位視野辨識掩護砲兵陣地。

洛克希德馬丁公司是美國軍方唯一有源相控陣(phased array)雷達供應商。 向 GaN 元件基礎的過渡使其能夠在雷達裝置的改進和生產領域獲得進一步的長期領導地位。



來源: 3dnews.ru

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