我們不只一次注意到電源正在成為「我們的一切」。 行動電子、電動車、物聯網、能源儲存等將電源和電壓轉換過程帶到了電子產品中最重要的位置。 使用以下材料生產晶片和分立元件的技術 （氮化鎵）。 同時，沒有人會質疑這樣一個事實：無論是在解決方案的緊湊性方面，還是在節省設計和生產成本方面，整合解決方案都比分立解決方案更好。 近日，在 PCIM 2019 會議上，來自比利時中心 Imec 的研究人員明確 基於 GaN 的單晶片電源（逆變器）根本不是科幻小說，而是不久的將來的事情。
Imec 專家在 SOI（絕緣體上矽）晶圓上使用矽基氮化鎵技術，創建了一款單晶片半橋轉換器。 這是連接電源開關（電晶體）以創建電壓逆變器的三個經典選項之一。 通常，為了實現電路，需要採用一組分立元件。 為了達到一定的緊湊性，一組元件也被放置在一個公共封裝中，這並沒有改變電路是由單獨的元件組裝而成的事實。 比利時人成功地在單晶上重現了半橋的幾乎所有元件：電晶體、電容器和電阻器。 此解決方案可以透過減少通常伴隨轉換電路的許多寄生現象來提高電壓轉換效率。
在會議上展示的原型中，整合GaN-IC晶片將48伏特輸入電壓轉換為1伏特輸出電壓，開關頻率為1 MHz。 該解決方案可能看起來相當昂貴，特別是考慮到 SOI 晶圓的使用，但研究人員強調，高度整合足以抵消成本。 顯然，用分立元件生產逆變器將會更加昂貴。
來源： 3dnews.ru