大腦模型的發展受到缺乏快速、密集且非揮發性的合適記憶的限制。 對於電腦和智慧型手機來說，也沒有足夠的具有類似特性的記憶體。 英國物理學家的發現有望使必要的普遍記憶的出現更加接近。
發明 英國蘭卡斯特大學的物理學家。 早在去年六月的《自然》雜誌上，他們就 ，其中他們談到了通用記憶體悖論的解決方案，必須結合不相容的因素：DRAM 的速度和 NAND 的非揮發性。
六月的文章詳細介紹了一種利用電子量子特性的儲存單元。 由於該粒子的波動性，它可以 通過禁止的障礙。 為此，電子必須具有一定量的「共振」能量。 當科學家開發的電池施加高達 2,6 V 的小電位時，電子開始隧道穿過由砷化銦和銻化鋁 (InAs / AlSb) 材料製成的三層障礙。 在正常情況下，此屏障可防止電子通過，並將其保留在單元中而無需供電，這使得寫入單元中的值可以長期儲存。
在最新一月號的 IEEE Transactions on Electron Devices 中，同樣的研究人員 他們能夠創建可靠的電路來從這些單元讀取數據，並學會將單元組合成儲存陣列。 一路上，物理學家發現「過渡勢壘的清晰度」為創建非常密集的細胞陣列創造了先決條件。 此外，在 20 奈米製程技術的模擬過程中，我們發現所提出的單元的能源效率可能比 DRAM 記憶體高出 100 倍。 同時，科學家稱之為新型ULTRARAM記憶體的運作速度與DRAM的速度相當，並且在效能方面下降到10奈秒以內。
目前，科學家正忙於設計 ULTRARAM 陣列並將解決方案轉移到矽上。 設計用於從單元寫入和讀取資料的邏輯節點的階段也已經開始。 有趣的是，科學家已經為新記憶體註冊了商標（見上圖）。
來源： 3dnews.ru