如 中國通訊社長江儲存科技有限公司 (YMTC) 已準備好其專有 Xtacking 技術的第二版，以優化多層 3D NAND 快閃記憶體的生產。 我們記得，Xtacking技術在去年XNUMX月的年度快閃記憶體峰會論壇上亮相，甚至獲得了「快閃記憶體領域最具創新新創公司」類別的獎項。
當然，將一家擁有數十億美元預算的企業稱為新創公司顯然是低估了該公司，但說實話，長江儲存還沒有大規模生產產品。 該公司將在接近今年年底時開始大規模商業供應 3D NAND，屆時將開始生產 128 Gbit 64 層記憶體，順便說一下，該記憶體將得到相同的創新 Xtacking 技術的支援。
根據近日報道，近日在GSA Memory+論壇上，長江儲存CTO唐江坦言Xtacking 2.0技術將於2019月亮相。 不幸的是，該公司的技術負責人沒有分享新開發的細節，所以我們必須等到八月。 正如過去的實踐表明，該公司一直保密到最後，在 2.0 年閃存峰會開始之前，我們不太可能了解到有關 Xtacking XNUMX 的任何有趣資訊。
至於Xtacking技術本身，它的目標是三點： 對3D NAND及其產品的生產具有決定性影響。 這些是快閃記憶體晶片介面的速度、記錄密度的增加以及將新產品推向市場的速度。 Xtacking 技術可讓您將 3D NAND 晶片中記憶體陣列的交換速率從 1–1,4 Gbit/s（ONFi 4.1 和 ToggleDDR 介面）提高到 3 Gbit/s。 隨著晶片容量的成長，對交換速度的要求也會提高，中國人希望在這方面率先取得突破。
提高記錄密度還有另一個障礙——3D NAND 晶片上不僅存在記憶體陣列，而且還存在外圍控制和電源電路。 這些電路佔用了記憶體陣列 20% 到 30% 的可用面積，並且 128 Gbit 晶片將佔用 50% 的晶片表面。 在Xtacking技術中，記憶體陣列是在自己的晶片上生產的，而控制電路是在另一個晶片上生產的。 此晶體完全專用於儲存單元，晶片組裝最後階段的控制電路連接到帶有記憶體的晶體。
單獨的製造和隨後的組裝還可以更快地開發客製化儲存晶片和客製化產品，這些晶片和客製化產品可以像磚塊一樣組裝成正確的組合。 這種方法使我們能夠將客製化記憶體晶片的開發時間縮短至少 3 個月，而總開發時間為 12 至 18 個月。 更大的靈活性意味著更高的客戶興趣，這對年輕的中國製造商來說就像需要空氣一樣。
來源： 3dnews.ru