Everspin 和 GlobalFoundries 已將 MRAM 聯合開發協議擴展到 12 奈米製程技術

全球唯一一家分離式磁阻記憶體晶片開發商Everspin Technologies不斷改進生產技術。如今 Everspin 和 GlobalFoundries 合同 共同開發生產12奈米標準及FinFET電晶體的STT-MRAM微電路的技術。

Everspin 擁有超過 650 項與 MRAM 記憶體相關的專利和應用。這是一種其單元記錄類似於在硬碟上記錄資訊的記憶體。僅在微電路的情況下，每個單元才有自己的（有條件的）磁頭。取代它的 STT-MRAM 記憶體是基於電子自旋動量轉移效應，由於它在寫入和讀取模式下使用較低的電流，因此運行時的能量成本更低。

最初，MRAM 記憶體由 NXP 在其位於美國的工廠為 Everspin 生產。 2014年，Everspin 與 GlobalFoundries 簽訂了合作協議。他們開始共同利用更先進的製程技術開發分立和嵌入式 MRAM（STT-MRAM）製造流程。

隨著時間的推移，GlobalFoundries 的工廠開始生產 40 奈米和 28 奈米 STT-MRAM 晶片（最終生產新產品 1 Gbit 分離式 STT-MRAM 晶片），並且還準備了 22FDX 製程技術，以便在 FD-SRAM 晶圓上使用 22 奈米控制器技術將整合到MOI 單元中使用 12 奈米控制器。 Everspin 和 GlobalFoundries 的新協議將使 STT-MRAM 晶片的生產轉向 XNUMXnm 製程。

MRAM 記憶體的效能正在接近 SRAM 內存，並有可能在物聯網控制器中取代它。同時，它是非揮發性的，比傳統的NAND記憶體具有更強的耐磨性。過渡到12nm標準將增加MRAM的記錄密度，這是其主要缺點。