全球唯一一家分離式磁阻 MRAM 記憶體晶片開發商 Everspin Technologies 不斷改進生產技術。 今天 Everspin 和 GlobalFoundries 共同開發採用 12 nm 標準和 FinFET 電晶體生產 STT-MRAM 微電路的技術。
Everspin 擁有超過 650 項與 MRAM 記憶體相關的專利和應用。 這就是記憶體，寫入其單元類似於將資訊寫入硬碟的磁板。 只有在微電路的情況下，每個單元才有自己的（有條件的）磁頭。 取代它的 STT-MRAM 記憶體是基於電子自旋動量轉移效應，運行時的能源成本更低，因為它在寫入和讀取模式下使用更低的電流。
最初，Everspin 訂購的 MRAM 記憶體是由 NXP 在其美國工廠生產的。 2014年，Everspin與GlobalFoundries簽訂了聯合工作協議。 他們一起開始使用更先進的製造流程開發分立式和嵌入式 MRAM (STT-MRAM) 製造流程。
隨著時間的推移，GlobalFoundries 工廠開始生產 40 奈米和 28 奈米 STT-MRAM 晶片（最後推出了新產品 - 1 Gbit 分離式 STT-MRAM 晶片），並準備了 22FDX 製程技術來整合 STT-在FD-SOI 晶圓上使用22 nm 奈米製程技術將MRAM 陣列整合到控制器中。 Everspin 和 GlobalFoundries 之間的新協議將導致 STT-MRAM 晶片的生產轉移到 12 奈米製程技術。
MRAM 記憶體的效能正在接近 SRAM 記憶體，並且有可能在物聯網控制器中取代它。 同時，它具有非揮發性，並且比傳統 NAND 記憶體更耐磨損。 向12 nm標準的過渡將增加MRAM的記錄密度，這是它的主要缺點。
來源： 3dnews.ru