今天上午，英特爾在韓國首爾舉辦了「2019 年記憶體和儲存日」活動，專門討論記憶體和固態硬碟市場的未來計畫。會上，公司代表談到了未來的 Optane 型號、五位 PLC NAND（五層單元）的開發進展以及計劃在未來幾年推廣的其他有前途的技術。英特爾也談到了長期在桌上型電腦中引入非揮發性 RAM 的願望，以及該細分市場熟悉的 SSD 的新型號。
英特爾關於正在進行的開發的演示中最出人意料的部分是關於 PLC NAND 的故事 - 一種更密集的閃存類型。該公司強調，在過去的兩年裡，全球產生的數據總量翻了一番，因此基於四位QLC NAND的驅動器似乎不再是解決這個問題的良好方案——行業需要一些更高性能的選擇。輸出應該是五級單元（PLC）閃存，每個單元一次儲存五位資料。因此，快閃記憶體類型的層次結構很快就會看起來像SLC-MLC-TLC-QLC-PLC。與 SLC 相比，新的 PLC NAND 將能夠儲存多五倍的數據，但效能和可靠性當然較低，因為控制器必須區分單元的 32 種不同充電狀態才能寫入和讀取 XNUMX 位元。
值得注意的是，英特爾並不是唯一致力於製造更密集快閃記憶體的公司。東芝還在 8 月舉行的閃存峰會上談到了生產 PLC NAND 的計劃。然而，英特爾的技術明顯不同：該公司使用浮柵儲存單元，而東芝的設計是圍繞著基於電荷陷阱的單元建構的。隨著資訊儲存密度的增加，浮柵似乎是最好的解決方案，因為它最大限度地減少了單元中電荷的相互影響和流動，並且可以以更少的錯誤讀取資料。換句話說，英特爾的設計更適合增加密度，使用不同技術製造的市售QLC NAND的測試結果證實了這一點。此類測試表明，基於浮柵的 QLC 儲存單元的資料退化速度比具有電荷陷阱的 QLC NAND 單元慢兩到三倍。
在此背景下，美光決定與英特爾分享其快閃記憶體開發的訊息，除此之外，因為希望改用電荷陷阱單元，看起來相當有趣。英特爾仍然致力於原創技術，並在所有新解決方案中系統地實施它。
除了仍在開發中的PLC NAND之外，英特爾還打算透過使用其他更實惠的技術來提高快閃記憶體中資訊的儲存密度。特別是，該公司確認即將過渡到96層QLC 3D NAND的量產：將用於新的消費驅動器 .
隨後將掌握 144 層 QLC 3D NAND 的生產——將於明年投入生產。奇怪的是，英特爾迄今為止否認有意使用單片晶體的三重焊接，因此，雖然 96 層設計涉及兩個 48 層晶體的垂直組裝，但 144 層技術顯然將基於 72 層「半成品」。
隨著QLC 3D NAND晶體層數的增加，英特爾開發人員尚未打算增加晶體本身的容量。基於96層和144層技術，將生產與第一代64層QLC 3D NAND相同的太比特晶體。這是因為希望基於它提供具有可接受的性能水平的 SSD。第一個使用 144 層記憶體的 SSD 將是 Arbordale+ 伺服器磁碟機。
來源： 3dnews.ru