基於三星 B-die 晶片構建的內存模組可能是愛好者中最受歡迎的選擇之一。 然而，這家韓國製造商認為它們已經過時，目前正在停止生產，並提供其他 DDR4 記憶體晶片的替代品，其生產採用更新的技術製程。 這意味著三星基於 B-die 晶片的無緩衝 DDR4 記憶體模組現已達到生命週期終點，很快就會缺貨。 其他在其產品中使用三星 B-die 晶片的製造商也將停止供應類似模組。
三星 B-die 晶片和基於它們的記憶體模組因其多功能性和超頻潛力而贏得了廣泛認可。 它們的頻率可完美調節，對電源電壓的增加反應良好，並允許以極其激進的時序運作。 基於三星 B-die 晶片的模組的另一個重要優勢是它們的樸實無華以及與各種內存控制器的廣泛兼容性，因此它們特別受到基於 Ryzen 處理器的系統所有者的喜愛。
然而，對於 B-die 晶片的生產，使用的是 20 nm 標準的相當古老的技術工藝，因此三星希望放棄此類半導體設備的生產而轉而採用更現代的替代品是可以理解的。 不久前，該公司宣布開始生產採用4z奈米技術（第三代）的DDR1 SDRAM晶片，而採用1y奈米技術（第二代）生產的晶片已經生產了一年半以上。 製造商鼓勵您改用這些。 B-die 晶片被正式指定為 EOL（End of Life）狀態 - 生命週期結束。
現在將分發其他產品，而不是傳奇的三星 B-die 晶片。 採用1y nm製程技術製造的M-die晶片已達到量產階段。 採用更先進的 1z nm 標準技術生產的 A-die 晶片也已達到生產資格階段。 這意味著 M 晶片上的記憶體將在不久的將來開始銷售，而基於 A 晶片的模組將在六個月內向用戶提供。
除了現代技術製程和潛在的更高頻率潛力之外，具有更新核心的新型記憶體晶片的主要優勢還在於容量的增加。 它們可以生產容量為 4 GB 的單面 DDR16 記憶體模組和容量為 32 GB 的雙面模組，這在以前是不可能的。
值得回顧的是，今年夏天，我們預計市場上可用的 DDR4 SDRAM 記憶體模組範圍將發生重大變化。 除了三星的新晶片外，記憶體條也應該使用美光的E-die晶片和SK海力士的C-die晶片。 所有這些變化很可能不僅會導致平均體積的增加，還會導致平均 DDR4 SDRAM 模組頻率潛力的增加。
來源： 3dnews.ru